Calculadora Corriente que fluye a través del canal inducido en el transistor dado voltaje de óxido

Corriente de salida = (Movilidad del electrón*Capacitancia de óxido*(Ancho del canal/Longitud del canal)*(Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral))*Voltaje de saturación entre drenaje y fuente
i_o = (μ_e*C_ox*(W_c/L)*(V_ox-V_t))*V_ds
Esta fórmula usa 8 Variables
Corriente de salida - (Medido en Amperio) - La corriente de salida es la corriente que el amplificador extrae de la fuente de señal.
Movilidad del electrón - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad del electrón se define como la magnitud de la velocidad de deriva promedio por unidad de campo eléctrico.
Capacitancia de óxido - (Medido en Farad por metro cuadrado) - La capacitancia de óxido es la capacitancia del capacitor de placas paralelas por unidad de área de compuerta.
Ancho del canal - (Medido en Metro) - El ancho del canal es la dimensión del canal de MOSFET.
Longitud del canal - (Medido en Metro) - La longitud del canal, L, que es la distancia entre las dos uniones -p.
Voltaje a través del óxido - (Medido en Voltio) - El voltaje a través del óxido se debe a la carga en la interfaz óxido-semiconductor y el tercer término se debe a la densidad de carga en el óxido.
Voltaje umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje umbral del transistor es la puerta mínima al voltaje de fuente que se necesita para crear una ruta conductora entre los terminales de fuente y drenaje.
Voltaje de saturación entre drenaje y fuente - (Medido en Voltio) - El voltaje de saturación entre el drenaje y la fuente en un transistor es un voltaje del colector y el emisor requerido para la saturación.

(Cálculo completado en 00.020 segundos)