Calculadora Terminal de drenaje de entrada actual de NMOS

✖El parámetro de transconductancia de proceso en NMOS (PTM) es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos semiconductores para caracterizar el rendimiento de un transistor.ⓘ Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS [k'_n]			+10% -10%
✖El ancho de canal se refiere a la cantidad de ancho de banda disponible para transmitir datos dentro de un canal de comunicación.ⓘ Ancho de canal [W_c]			+10% -10%
✖La longitud del canal se puede definir como la distancia entre sus puntos inicial y final, y puede variar mucho según su propósito y ubicación.ⓘ Longitud del Canal [L]			+10% -10%
✖Drain Source Voltage es un término eléctrico utilizado en electrónica y específicamente en transistores de efecto de campo. Se refiere a la diferencia de voltaje entre los terminales de drenaje y fuente del FET.ⓘ Voltaje de la fuente de drenaje [V_ds]			+10% -10%
✖El voltaje de sobremarcha en NMOS generalmente se refiere al voltaje aplicado a un dispositivo o componente que excede su voltaje de funcionamiento normal.ⓘ Voltaje de sobremarcha en NMOS [V_ov]			+10% -10%

✖La corriente de drenaje en NMOS es la corriente eléctrica que fluye desde el drenaje hasta la fuente de un transistor de efecto de campo (FET) o un transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal (MOSFET).ⓘ Terminal de drenaje de entrada actual de NMOS [I_d]

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Terminal de drenaje de entrada actual de NMOS Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Drenar corriente en NMOS = Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*Voltaje de la fuente de drenaje*(Voltaje de sobremarcha en NMOS-1/2*Voltaje de la fuente de drenaje)
I_d = k'_n*W_c/L*V_ds*(V_ov-1/2*V_ds)
Esta fórmula usa 6 Variables

Variables utilizadas

Drenar corriente en NMOS - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje en NMOS es la corriente eléctrica que fluye desde el drenaje hasta la fuente de un transistor de efecto de campo (FET) o un transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal (MOSFET).
Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS - (Medido en Siemens) - El parámetro de transconductancia de proceso en NMOS (PTM) es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos semiconductores para caracterizar el rendimiento de un transistor.
Ancho de canal - (Medido en Metro) - El ancho de canal se refiere a la cantidad de ancho de banda disponible para transmitir datos dentro de un canal de comunicación.
Longitud del Canal - (Medido en Metro) - La longitud del canal se puede definir como la distancia entre sus puntos inicial y final, y puede variar mucho según su propósito y ubicación.
Voltaje de la fuente de drenaje - (Medido en Voltio) - Drain Source Voltage es un término eléctrico utilizado en electrónica y específicamente en transistores de efecto de campo. Se refiere a la diferencia de voltaje entre los terminales de drenaje y fuente del FET.
Voltaje de sobremarcha en NMOS - (Medido en Voltio) - El voltaje de sobremarcha en NMOS generalmente se refiere al voltaje aplicado a un dispositivo o componente que excede su voltaje de funcionamiento normal.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS: 2 milisiemens --> 0.002 Siemens (Verifique la conversión aquí)
Ancho de canal: 10 Micrómetro --> 1E-05 Metro (Verifique la conversión aquí)
Longitud del Canal: 3 Micrómetro --> 3E-06 Metro (Verifique la conversión aquí)
Voltaje de la fuente de drenaje: 8.43 Voltio --> 8.43 Voltio No se requiere conversión
Voltaje de sobremarcha en NMOS: 8.48 Voltio --> 8.48 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

I_d = k'_n*W_c/L*V_ds*(V_ov-1/2*V_ds) --> 0.002*1E-05/3E-06*8.43*(8.48-1/2*8.43)

Evaluar ... ...

I_d = 0.239693

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.239693 Amperio -->239.693 Miliamperio (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

239.693 Miliamperio <-- Drenar corriente en NMOS

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

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Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

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