Calculadora Terminal de drenaje de entrada actual de MOSFET en saturación

✖El parámetro de transconductancia del proceso es el producto de la movilidad de los electrones en el canal y la capacitancia del óxido.ⓘ Parámetro de transconductancia del proceso [k'_n]			+10% -10%
✖El ancho del canal es la dimensión del canal de MOSFET.ⓘ Ancho del canal [W_c]			+10% -10%
✖La longitud del canal, L, que es la distancia entre las dos uniones -p.ⓘ Longitud del canal [L]			+10% -10%
✖El voltaje efectivo o voltaje de sobreexcitación se denomina exceso de voltaje a través del óxido sobre el voltaje térmico.ⓘ Voltaje efectivo [V_ov]			+10% -10%

✖La corriente de drenaje de saturación se define como la corriente subumbral y varía exponencialmente con el voltaje de la puerta a la fuente.ⓘ Terminal de drenaje de entrada actual de MOSFET en saturación [i_ds]

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Terminal de drenaje de entrada actual de MOSFET en saturación Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia del proceso*(Ancho del canal/Longitud del canal)*(Voltaje efectivo)^2
i_ds = 1/2*k'_n*(W_c/L)*(V_ov)^2
Esta fórmula usa 5 Variables

Variables utilizadas

Corriente de drenaje de saturación - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje de saturación se define como la corriente subumbral y varía exponencialmente con el voltaje de la puerta a la fuente.
Parámetro de transconductancia del proceso - (Medido en Amperio por voltio cuadrado) - El parámetro de transconductancia del proceso es el producto de la movilidad de los electrones en el canal y la capacitancia del óxido.
Ancho del canal - (Medido en Metro) - El ancho del canal es la dimensión del canal de MOSFET.
Longitud del canal - (Medido en Metro) - La longitud del canal, L, que es la distancia entre las dos uniones -p.
Voltaje efectivo - (Medido en Voltio) - El voltaje efectivo o voltaje de sobreexcitación se denomina exceso de voltaje a través del óxido sobre el voltaje térmico.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Parámetro de transconductancia del proceso: 0.2 Amperio por voltio cuadrado --> 0.2 Amperio por voltio cuadrado No se requiere conversión
Ancho del canal: 10.15 Micrómetro --> 1.015E-05 Metro (Verifique la conversión aquí)
Longitud del canal: 3.25 Micrómetro --> 3.25E-06 Metro (Verifique la conversión aquí)
Voltaje efectivo: 0.123 Voltio --> 0.123 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

i_ds = 1/2*k'_n*(W_c/L)*(V_ov)^2 --> 1/2*0.2*(1.015E-05/3.25E-06)*(0.123)^2

Evaluar ... ...

i_ds = 0.00472490307692308

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.00472490307692308 Amperio -->4.72490307692308 Miliamperio (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

4.72490307692308 ≈ 4.724903 Miliamperio <-- Corriente de drenaje de saturación

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

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Corriente que fluye a través del canal inducido en el transistor dado voltaje de óxido

LaTeX Vamos Corriente de salida = (Movilidad del electrón*Capacitancia de óxido*(Ancho del canal/Longitud del canal)*(Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral))*Voltaje de saturación entre drenaje y fuente

Terminal de drenaje de entrada actual de MOSFET en saturación

LaTeX Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia del proceso*(Ancho del canal/Longitud del canal)*(Voltaje efectivo)^2

Voltaje de drenaje instantáneo total

LaTeX Vamos Voltaje total de drenaje instantáneo = Voltaje del componente fundamental-Resistencia al drenaje*Corriente de drenaje

Voltaje de entrada en transistor

LaTeX Vamos Voltaje del componente fundamental = Resistencia al drenaje*Corriente de drenaje-Voltaje total de drenaje instantáneo

Terminal de drenaje de entrada actual de MOSFET en saturación Fórmula

LaTeX Vamos

Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia del proceso*(Ancho del canal/Longitud del canal)*(Voltaje efectivo)^2
i_ds = 1/2*k'_n*(W_c/L)*(V_ov)^2

¿Qué es la corriente de drenaje en MOSFET?

La corriente de drenaje por debajo del voltaje umbral se define como la corriente subumbral y varía exponencialmente con Vgs. El recíproco de la pendiente del registro (Ids) frente a la característica Vgs se define como la pendiente subumbral, S, y es una de las métricas de rendimiento más críticas para MOSFET en aplicaciones lógicas.

¿Cuánta corriente puede manejar un MOSFET?

Los MOSFET de alto amperaje como el 511-STP200N3LL dicen que pueden manejar 120 amperios de corriente. El transistor de efecto de campo semiconductor de óxido de metal, o MOSFET para abreviar, tiene una resistencia de puerta de entrada extremadamente alta con la corriente que fluye a través del canal entre la fuente y el drenaje está controlada por el voltaje de la puerta.

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