Calculadora Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad

Velocidad de deriva de inversión = Movilidad de agujeros en canal*Componente horizontal del campo eléctrico en el canal
V_y = μ_p*E_y
Esta fórmula usa 3 Variables
Velocidad de deriva de inversión - (Medido en Metro por Segundo) - La velocidad de deriva de la capa de inversión en un MOSFET es la velocidad promedio de los electrones que forman la capa de inversión a medida que se mueven a través del material bajo la influencia de un campo eléctrico.
Movilidad de agujeros en canal - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad de los agujeros en el canal depende de varios factores, como la estructura cristalina del material semiconductor, la presencia de impurezas, la temperatura,
Componente horizontal del campo eléctrico en el canal - (Medido en voltios por metro) - La Componente Horizontal del Campo Eléctrico en el Canal es la fuerza del campo eléctrico que existe en el material debajo de la capa de óxido de la puerta, en la región donde se forma la capa de inversión.

(Cálculo completado en 00.004 segundos)