Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Velocidad de deriva de inversión = Movilidad de agujeros en canal*Componente horizontal del campo eléctrico en el canal
Vy = μp*Ey
Esta fórmula usa 3 Variables
Variables utilizadas
Velocidad de deriva de inversión - (Medido en Metro por Segundo) - La velocidad de deriva de la capa de inversión en un MOSFET es la velocidad promedio de los electrones que forman la capa de inversión a medida que se mueven a través del material bajo la influencia de un campo eléctrico.
Movilidad de agujeros en canal - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad de los agujeros en el canal depende de varios factores, como la estructura cristalina del material semiconductor, la presencia de impurezas, la temperatura,
Componente horizontal del campo eléctrico en el canal - (Medido en voltios por metro) - La Componente Horizontal del Campo Eléctrico en el Canal es la fuerza del campo eléctrico que existe en el material debajo de la capa de óxido de la puerta, en la región donde se forma la capa de inversión.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Movilidad de agujeros en canal: 2.66 Metro cuadrado por voltio por segundo --> 2.66 Metro cuadrado por voltio por segundo No se requiere conversión
Componente horizontal del campo eléctrico en el canal: 5.5 voltios por metro --> 5.5 voltios por metro No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Vy = μp*Ey --> 2.66*5.5
Evaluar ... ...
Vy = 14.63
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
14.63 Metro por Segundo -->1463 centímetro por segundo (Verifique la conversión ​aquí)
RESPUESTA FINAL
1463 centímetro por segundo <-- Velocidad de deriva de inversión
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Aman Dhussawat
INSTITUTO TECNOLÓGICO GURU TEGH BAHADUR (GTBIT), NUEVA DELHI
¡Aman Dhussawat ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por parminder singh
Universidad de Chandigarh (CU), Punjab
¡parminder singh ha verificado esta calculadora y 500+ más calculadoras!

Mejora del canal P Calculadoras

Corriente de drenaje en la región triodo del transistor PMOS
​ LaTeX ​ Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*((Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral))*Voltaje entre drenaje y fuente-1/2*(Voltaje entre drenaje y fuente)^2)
Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd
​ LaTeX ​ Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(modulus(Voltaje efectivo)-1/2*Voltaje entre drenaje y fuente)*Voltaje entre drenaje y fuente
Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS
​ LaTeX ​ Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral))^2
Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS dado Vov
​ LaTeX ​ Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje efectivo)^2

Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Velocidad de deriva de inversión = Movilidad de agujeros en canal*Componente horizontal del campo eléctrico en el canal
Vy = μp*Ey
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!