Calculadora Corriente que fluye a través del canal inducido en el transistor dado voltaje de óxido

✖La movilidad del electrón se define como la magnitud de la velocidad de deriva promedio por unidad de campo eléctrico.ⓘ Movilidad del electrón [μ_e]			+10% -10%
✖La capacitancia de óxido es la capacitancia del capacitor de placas paralelas por unidad de área de compuerta.ⓘ Capacitancia de óxido [C_ox]			+10% -10%
✖El ancho del canal es la dimensión del canal de MOSFET.ⓘ Ancho del canal [W_c]			+10% -10%
✖La longitud del canal, L, que es la distancia entre las dos uniones -p.ⓘ Longitud del canal [L]			+10% -10%
✖El voltaje a través del óxido se debe a la carga en la interfaz óxido-semiconductor y el tercer término se debe a la densidad de carga en el óxido.ⓘ Voltaje a través del óxido [V_ox]			+10% -10%
✖El voltaje umbral del transistor es la puerta mínima al voltaje de fuente que se necesita para crear una ruta conductora entre los terminales de fuente y drenaje.ⓘ Voltaje umbral [V_t]			+10% -10%
✖El voltaje de saturación entre el drenaje y la fuente en un transistor es un voltaje del colector y el emisor requerido para la saturación.ⓘ Voltaje de saturación entre drenaje y fuente [V_ds]			+10% -10%

✖La corriente de salida es la corriente que el amplificador extrae de la fuente de señal.ⓘ Corriente que fluye a través del canal inducido en el transistor dado voltaje de óxido [i_o]

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Fórmula

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Corriente que fluye a través del canal inducido en el transistor dado voltaje de óxido

Fórmula

i o = (μ e \cdot C ox \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot (V ox - V t)) \cdot V ds

Ejemplo

14.63474 mA = (0.012 m²/V*s \cdot 0.001 F/m² \cdot (\frac{10.15 μm}{3.25 μm}) \cdot (3.775 V - 2 V)) \cdot 220 V

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Corriente que fluye a través del canal inducido en el transistor dado voltaje de óxido Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Corriente de salida = (Movilidad del electrón*Capacitancia de óxido*(Ancho del canal/Longitud del canal)*(Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral))*Voltaje de saturación entre drenaje y fuente
i_o = (μ_e*C_ox*(W_c/L)*(V_ox-V_t))*V_ds
Esta fórmula usa 8 Variables

Variables utilizadas

Corriente de salida - (Medido en Amperio) - La corriente de salida es la corriente que el amplificador extrae de la fuente de señal.
Movilidad del electrón - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad del electrón se define como la magnitud de la velocidad de deriva promedio por unidad de campo eléctrico.
Capacitancia de óxido - (Medido en Farad por metro cuadrado) - La capacitancia de óxido es la capacitancia del capacitor de placas paralelas por unidad de área de compuerta.
Ancho del canal - (Medido en Metro) - El ancho del canal es la dimensión del canal de MOSFET.
Longitud del canal - (Medido en Metro) - La longitud del canal, L, que es la distancia entre las dos uniones -p.
Voltaje a través del óxido - (Medido en Voltio) - El voltaje a través del óxido se debe a la carga en la interfaz óxido-semiconductor y el tercer término se debe a la densidad de carga en el óxido.
Voltaje umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje umbral del transistor es la puerta mínima al voltaje de fuente que se necesita para crear una ruta conductora entre los terminales de fuente y drenaje.
Voltaje de saturación entre drenaje y fuente - (Medido en Voltio) - El voltaje de saturación entre el drenaje y la fuente en un transistor es un voltaje del colector y el emisor requerido para la saturación.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Movilidad del electrón: 0.012 Metro cuadrado por voltio por segundo --> 0.012 Metro cuadrado por voltio por segundo No se requiere conversión
Capacitancia de óxido: 0.001 Farad por metro cuadrado --> 0.001 Farad por metro cuadrado No se requiere conversión
Ancho del canal: 10.15 Micrómetro --> 1.015E-05 Metro (Verifique la conversión aquí)
Longitud del canal: 3.25 Micrómetro --> 3.25E-06 Metro (Verifique la conversión aquí)
Voltaje a través del óxido: 3.775 Voltio --> 3.775 Voltio No se requiere conversión
Voltaje umbral: 2 Voltio --> 2 Voltio No se requiere conversión
Voltaje de saturación entre drenaje y fuente: 220 Voltio --> 220 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

i_o = (μ_e*C_ox*(W_c/L)*(V_ox-V_t))*V_ds --> (0.012*0.001*(1.015E-05/3.25E-06)*(3.775-2))*220

Evaluar ... ...

i_o = 0.0146347384615385

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.0146347384615385 Amperio -->14.6347384615385 Miliamperio (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

14.6347384615385 ≈ 14.63474 Miliamperio <-- Corriente de salida

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

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Corriente que fluye a través del canal inducido en el transistor dado voltaje de óxido

Vamos Corriente de salida = (Movilidad del electrón*Capacitancia de óxido*(Ancho del canal/Longitud del canal)*(Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral))*Voltaje de saturación entre drenaje y fuente

Terminal de drenaje de entrada actual de MOSFET en saturación

Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia del proceso*(Ancho del canal/Longitud del canal)*(Voltaje efectivo)^2

Voltaje de drenaje instantáneo total

Vamos Voltaje total de drenaje instantáneo = Voltaje del componente fundamental-Resistencia al drenaje*Corriente de drenaje

Voltaje de entrada en transistor

Vamos Voltaje del componente fundamental = Resistencia al drenaje*Corriente de drenaje-Voltaje total de drenaje instantáneo

Corriente que fluye a través del canal inducido en el transistor dado voltaje de óxido Fórmula

Explique el funcionamiento del transistor NMOS.

Un transistor NMOS con el voltaje a través de la fuente de gas> voltaje umbral y con un pequeño voltaje entre el drenaje y la fuente aplicada. El dispositivo actúa como una resistencia cuyo valor está determinado por el voltaje en la fuente de gas. Específicamente, la conductancia del canal es proporcional al voltaje a través de la fuente de gas - voltaje umbral, y por lo tanto Id es proporcional al voltaje (voltaje a través de la fuente de gas - voltaje umbral) entre el drenaje y la fuente.

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