Agujero de densidad actual Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Densidad de corriente del agujero = Cargar*Constante de difusión para PNP*(Concentración de equilibrio del agujero/Ancho de la base)
Jp = q*Dp*(pn/Wb)
Esta fórmula usa 5 Variables
Variables utilizadas
Densidad de corriente del agujero - (Medido en Amperio por metro cuadrado) - La densidad de corriente del agujero contribuye a la corriente total en un dispositivo semiconductor y es un parámetro esencial para comprender el comportamiento del semiconductor.
Cargar - (Medido en Culombio) - Carga característica de una unidad de materia que expresa en qué medida tiene más o menos electrones que protones.
Constante de difusión para PNP - (Medido en Metro cuadrado por segundo) - La constante de difusión para PNP describe la facilidad con la que estos portadores minoritarios se difunden a través del material semiconductor cuando se aplica un campo eléctrico.
Concentración de equilibrio del agujero - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de equilibrio del agujero es una propiedad característica del material y está determinada por factores intrínsecos como la energía de banda prohibida y la temperatura.
Ancho de la base - (Medido en Metro) - El ancho de la base es un parámetro importante que afecta las características del transistor, especialmente en términos de funcionamiento y velocidad.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Cargar: 5 miliculombio --> 0.005 Culombio (Verifique la conversión ​aquí)
Constante de difusión para PNP: 100 Centímetro cuadrado por segundo --> 0.01 Metro cuadrado por segundo (Verifique la conversión ​aquí)
Concentración de equilibrio del agujero: 70 1 por centímetro cúbico --> 70000000 1 por metro cúbico (Verifique la conversión ​aquí)
Ancho de la base: 8 Centímetro --> 0.08 Metro (Verifique la conversión ​aquí)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Jp = q*Dp*(pn/Wb) --> 0.005*0.01*(70000000/0.08)
Evaluar ... ...
Jp = 43750
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
43750 Amperio por metro cuadrado -->4.375 Amperio por centímetro cuadrado (Verifique la conversión ​aquí)
RESPUESTA FINAL
4.375 Amperio por centímetro cuadrado <-- Densidad de corriente del agujero
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Raúl Gupta
Universidad de Chandigarh (CU), Mohali, Punyab
¡Raúl Gupta ha creado esta calculadora y 25+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Ritwik Tripathi
Instituto de Tecnología de Vellore (VIT Vellore), Vellore
¡Ritwik Tripathi ha verificado esta calculadora y 100+ más calculadoras!

Fabricación de circuitos integrados bipolares Calculadoras

Conductividad de tipo N
​ LaTeX ​ Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de equilibrio de tipo N+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio de tipo N))
Conductividad óhmica de la impureza
​ LaTeX ​ Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de electrones+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de agujeros)
Impureza con concentración intrínseca
​ LaTeX ​ Vamos Concentración intrínseca = sqrt((Concentración de electrones*Concentración de agujeros)/Impureza de temperatura)
Voltaje de ruptura del emisor colector
​ LaTeX ​ Vamos Voltaje de ruptura del emisor del colector = Voltaje de ruptura de la base del colector/(Ganancia actual de BJT)^(1/Número raíz)

Agujero de densidad actual Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Densidad de corriente del agujero = Cargar*Constante de difusión para PNP*(Concentración de equilibrio del agujero/Ancho de la base)
Jp = q*Dp*(pn/Wb)
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