Fuente de drenaje de entrada actual en el límite de la región de saturación y triodo de NMOS Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Drenar corriente en NMOS = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*(Voltaje de la fuente de drenaje)^2
Id = 1/2*k'n*Wc/L*(Vds)^2
Esta fórmula usa 5 Variables
Variables utilizadas
Drenar corriente en NMOS - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje en NMOS es la corriente eléctrica que fluye desde el drenaje hasta la fuente de un transistor de efecto de campo (FET) o un transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal (MOSFET).
Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS - (Medido en Siemens) - El parámetro de transconductancia de proceso en NMOS (PTM) es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos semiconductores para caracterizar el rendimiento de un transistor.
Ancho de canal - (Medido en Metro) - El ancho de canal se refiere a la cantidad de ancho de banda disponible para transmitir datos dentro de un canal de comunicación.
Longitud del Canal - (Medido en Metro) - La longitud del canal se puede definir como la distancia entre sus puntos inicial y final, y puede variar mucho según su propósito y ubicación.
Voltaje de la fuente de drenaje - (Medido en Voltio) - Drain Source Voltage es un término eléctrico utilizado en electrónica y específicamente en transistores de efecto de campo. Se refiere a la diferencia de voltaje entre los terminales de drenaje y fuente del FET.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS: 2 milisiemens --> 0.002 Siemens (Verifique la conversión ​aquí)
Ancho de canal: 10 Micrómetro --> 1E-05 Metro (Verifique la conversión ​aquí)
Longitud del Canal: 3 Micrómetro --> 3E-06 Metro (Verifique la conversión ​aquí)
Voltaje de la fuente de drenaje: 8.43 Voltio --> 8.43 Voltio No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Id = 1/2*k'n*Wc/L*(Vds)^2 --> 1/2*0.002*1E-05/3E-06*(8.43)^2
Evaluar ... ...
Id = 0.236883
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.236883 Amperio -->236.883 Miliamperio (Verifique la conversión ​aquí)
RESPUESTA FINAL
236.883 Miliamperio <-- Drenar corriente en NMOS
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Payal Priya
Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri
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Verifier Image
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

Mejora del canal N Calculadoras

Fuente de drenaje de entrada actual en la región triodo de NMOS
​ LaTeX ​ Vamos Drenar corriente en NMOS = Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*((Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral)*Voltaje de la fuente de drenaje-1/2*(Voltaje de la fuente de drenaje)^2)
Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta
​ LaTeX ​ Vamos Drenar corriente en NMOS = Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*((Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral)*Voltaje de la fuente de drenaje-1/2*Voltaje de la fuente de drenaje^2)
NMOS como resistencia lineal
​ LaTeX ​ Vamos Resistencia lineal = Longitud del Canal/(Movilidad de los electrones en la superficie del canal*Capacitancia de óxido*Ancho de canal*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral))
Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS
​ LaTeX ​ Vamos Velocidad de deriva de electrones = Movilidad de los electrones en la superficie del canal*Campo eléctrico a lo largo del canal

Fuente de drenaje de entrada actual en el límite de la región de saturación y triodo de NMOS Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Drenar corriente en NMOS = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*(Voltaje de la fuente de drenaje)^2
Id = 1/2*k'n*Wc/L*(Vds)^2

¿Qué es NMOS?

NMOS (MOSFET) es una especie de MOSFET. Un transistor NMOS consta de una fuente y drenaje de tipo ny un sustrato de tipo p. Cuando se aplica voltaje a la puerta, los agujeros en el cuerpo (sustrato tipo p) se alejan de la puerta. Esto permite la formación de un canal de tipo n entre la fuente y el drenaje, y se conduce una corriente desde los electrones desde la fuente hasta el drenaje a través de un canal de tipo n inducido. Se dice que las puertas lógicas y otros dispositivos digitales implementados mediante NMOS tienen lógica NMOS. Hay tres modos de funcionamiento en un NMOS llamados corte, triodo y saturación. La lógica NMOS es fácil de diseñar y fabricar. Los circuitos con puertas lógicas NMOS, sin embargo, consumen energía estática cuando el circuito está inactivo, ya que la corriente continua fluye a través de la puerta lógica cuando la salida es baja.

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