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✖Carga característica de una unidad de materia que expresa en qué medida tiene más o menos electrones que protones.ⓘ Cargar [q]			+10% -10%
✖La constante de difusión para PNP describe la facilidad con la que estos portadores minoritarios se difunden a través del material semiconductor cuando se aplica un campo eléctrico.ⓘ Constante de difusión para PNP [D_p]			+10% -10%
✖La concentración de equilibrio del agujero es una propiedad característica del material y está determinada por factores intrínsecos como la energía de banda prohibida y la temperatura.ⓘ Concentración de equilibrio del agujero [p_n]			+10% -10%
✖El ancho de la base es un parámetro importante que afecta las características del transistor, especialmente en términos de funcionamiento y velocidad.ⓘ Ancho de la base [W_b]			+10% -10%

✖La densidad de corriente del agujero contribuye a la corriente total en un dispositivo semiconductor y es un parámetro esencial para comprender el comportamiento del semiconductor.ⓘ Agujero de densidad actual [J_p]

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Fórmula

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Agujero de densidad actual

Fórmula

J p = q \cdot D p \cdot (\frac{p n}{W b})

Ejemplo

4.375 A/cm² = 5 mC \cdot 100 cm²/s \cdot (\frac{70 /cm³}{8 cm})

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Agujero de densidad actual Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Densidad de corriente del agujero = Cargar*Constante de difusión para PNP*(Concentración de equilibrio del agujero/Ancho de la base)
J_p = q*D_p*(p_n/W_b)
Esta fórmula usa 5 Variables

Variables utilizadas

Densidad de corriente del agujero - (Medido en Amperio por metro cuadrado) - La densidad de corriente del agujero contribuye a la corriente total en un dispositivo semiconductor y es un parámetro esencial para comprender el comportamiento del semiconductor.
Cargar - (Medido en Culombio) - Carga característica de una unidad de materia que expresa en qué medida tiene más o menos electrones que protones.
Constante de difusión para PNP - (Medido en Metro cuadrado por segundo) - La constante de difusión para PNP describe la facilidad con la que estos portadores minoritarios se difunden a través del material semiconductor cuando se aplica un campo eléctrico.
Concentración de equilibrio del agujero - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de equilibrio del agujero es una propiedad característica del material y está determinada por factores intrínsecos como la energía de banda prohibida y la temperatura.
Ancho de la base - (Medido en Metro) - El ancho de la base es un parámetro importante que afecta las características del transistor, especialmente en términos de funcionamiento y velocidad.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Cargar: 5 miliculombio --> 0.005 Culombio (Verifique la conversión aquí)
Constante de difusión para PNP: 100 Centímetro cuadrado por segundo --> 0.01 Metro cuadrado por segundo (Verifique la conversión aquí)
Concentración de equilibrio del agujero: 70 1 por centímetro cúbico --> 70000000 1 por metro cúbico (Verifique la conversión aquí)
Ancho de la base: 8 Centímetro --> 0.08 Metro (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

J_p = q*D_p*(p_n/W_b) --> 0.005*0.01*(70000000/0.08)

Evaluar ... ...

J_p = 43750

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

43750 Amperio por metro cuadrado -->4.375 Amperio por centímetro cuadrado (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

4.375 Amperio por centímetro cuadrado <-- Densidad de corriente del agujero

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

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Créditos

Creado por Raúl Gupta

Universidad de Chandigarh (CU), Mohali, Punyab

¡Raúl Gupta ha creado esta calculadora y 25+ más calculadoras!

Verificada por Ritwik Tripathi

Instituto de Tecnología de Vellore (VIT Vellore), Vellore

¡Ritwik Tripathi ha verificado esta calculadora y 100+ más calculadoras!

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Conductividad de tipo N

Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de equilibrio de tipo N+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio de tipo N))

Conductividad óhmica de la impureza

Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de electrones+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de agujeros)

Impureza con concentración intrínseca

Vamos Concentración intrínseca = sqrt((Concentración de electrones*Concentración de agujeros)/Impureza de temperatura)

Voltaje de ruptura del emisor colector

Vamos Voltaje de ruptura del emisor del colector = Voltaje de ruptura de la base del colector/(Ganancia actual de BJT)^(1/Número raíz)

Agujero de densidad actual Fórmula

Densidad de corriente del agujero = Cargar*Constante de difusión para PNP*(Concentración de equilibrio del agujero/Ancho de la base)
J_p = q*D_p*(p_n/W_b)

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