MCD de tres números

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✖La constante dependiente del proceso se refiere a un parámetro o valor que caracteriza un aspecto específico del proceso de fabricación y tiene un impacto significativo en el rendimiento de los dispositivos semiconductores.ⓘ Constante dependiente del proceso [k₁]			+10% -10%
✖La longitud de onda en fotolitografía se refiere al rango específico de radiación electromagnética empleada para modelar obleas semiconductoras durante el proceso de fabricación de semiconductores.ⓘ Longitud de onda en fotolitografía [λ_l]			+10% -10%
✖La apertura numérica de un sistema óptico es un parámetro utilizado en óptica para describir la capacidad de un sistema óptico. En el contexto de la fabricación de semiconductores y la fotolitografía.ⓘ Apertura numérica [NA]			+10% -10%

✖La dimensión crítica en la fabricación de semiconductores se refiere al tamaño de característica más pequeño o al tamaño más pequeño medible en un proceso determinado.ⓘ Dimensión crítica [CD]

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Dimensión crítica Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Dimensión crítica = Constante dependiente del proceso*Longitud de onda en fotolitografía/Apertura numérica
CD = k₁*λ_l/NA
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Dimensión crítica - (Medido en Metro) - La dimensión crítica en la fabricación de semiconductores se refiere al tamaño de característica más pequeño o al tamaño más pequeño medible en un proceso determinado.
Constante dependiente del proceso - La constante dependiente del proceso se refiere a un parámetro o valor que caracteriza un aspecto específico del proceso de fabricación y tiene un impacto significativo en el rendimiento de los dispositivos semiconductores.
Longitud de onda en fotolitografía - (Medido en Metro) - La longitud de onda en fotolitografía se refiere al rango específico de radiación electromagnética empleada para modelar obleas semiconductoras durante el proceso de fabricación de semiconductores.
Apertura numérica - La apertura numérica de un sistema óptico es un parámetro utilizado en óptica para describir la capacidad de un sistema óptico. En el contexto de la fabricación de semiconductores y la fotolitografía.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Constante dependiente del proceso: 1.56 --> No se requiere conversión
Longitud de onda en fotolitografía: 223 nanómetro --> 2.23E-07 Metro (Verifique la conversión aquí)
Apertura numérica: 0.717 --> No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

CD = k₁*λ_l/NA --> 1.56*2.23E-07/0.717

Evaluar ... ...

CD = 4.85188284518829E-07

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

4.85188284518829E-07 Metro -->485.188284518829 nanómetro (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

485.188284518829 ≈ 485.1883 nanómetro <-- Dimensión crítica

(Cálculo completado en 00.006 segundos)

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Créditos

Creado por banuprakash

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Verificada por Santhosh Yadav

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore

¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

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