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✖
La constante dependiente del proceso se refiere a un parámetro o valor que caracteriza un aspecto específico del proceso de fabricación y tiene un impacto significativo en el rendimiento de los dispositivos semiconductores.
ⓘ
Constante dependiente del proceso [k
1
]
+10%
-10%
✖
La longitud de onda en fotolitografía se refiere al rango específico de radiación electromagnética empleada para modelar obleas semiconductoras durante el proceso de fabricación de semiconductores.
ⓘ
Longitud de onda en fotolitografía [λ
l
]
Angstrom
Centímetro
Decámetro
Decímetro
Electron Compton Longitud de onda
hectómetro
Metro
Micrómetro
Milímetro
nanómetro
Compton de neutrones Longitud de onda
Proton Compton Longitud de onda
+10%
-10%
✖
La apertura numérica de un sistema óptico es un parámetro utilizado en óptica para describir la capacidad de un sistema óptico. En el contexto de la fabricación de semiconductores y la fotolitografía.
ⓘ
Apertura numérica [NA]
+10%
-10%
✖
La dimensión crítica en la fabricación de semiconductores se refiere al tamaño de característica más pequeño o al tamaño más pequeño medible en un proceso determinado.
ⓘ
Dimensión crítica [CD]
Aln
Angstrom
Arpent
Unidad Astronómica
attómetro
AU de longitud
Barleycorn
Billion Light Año
Radio de Bohr
Cable (Internacional)
Cable (Reino Unido)
Cable (US)
Caliber
Centímetro
Chain
Cubit (Griego)
Codo (Largo)
Cubit (Reino Unido)
Decámetro
Decímetro
Distancia de la Tierra a la Luna
Distancia de la Tierra al Sol
Radio ecuatorial de la Tierra
Radio polar de la Tierra
Radio de electrones (Clásico)
Ell
examinador
Famn
Fathom
Femtometro
Fermi
Finger (Paño)
Fingerbreadth
Pie
Pie (US Encuesta)
Furlong
gigámetro
Hand
Handbreadth
hectómetro
Pulgada
Ken
Kilómetro
kiloparsec
kiloyarda
Liga
Liga (Estatuto)
Año luz
Link
Megámetro
Megaparsec
Metro
Micropulgada
Micrómetro
Micrón
Mil
Milla
Milla (romana)
Milla (US Encuesta)
Milímetro
Millones de años luz
Nail (Paño)
nanómetro
Liga Náutica (int)
Liga náutica del Reino Unido
Milla Náutica (Internacional)
Milla náutica (Reino Unido)
Parsec
Perca
Petámetro
Pica
Picómetro
Longitud de Planck
Punto
Pole
Quarter
Reed
Caña (larga)
Rod
Actus romano
Rope
Ruso Archin
Span (Paño)
Radio del sol
Terámetro
toque
Vara Castellana
Vara Conuquera
Vara De Tarea
Yarda
Yoctómetro
Yottameter
Zeptómetro
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Fórmula
✖
Dimensión crítica
Fórmula
CD
=
k
1
⋅
λ
l
NA
Ejemplo
485.1883 nm
=
1.56
⋅
223 nm
0.717
Calculadora
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Descargar Fabricación de circuitos integrados MOS Fórmulas PDF
Dimensión crítica Solución
PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Dimensión crítica
=
Constante dependiente del proceso
*
Longitud de onda en fotolitografía
/
Apertura numérica
CD
=
k
1
*
λ
l
/
NA
Esta fórmula usa
4
Variables
Variables utilizadas
Dimensión crítica
-
(Medido en Metro)
- La dimensión crítica en la fabricación de semiconductores se refiere al tamaño de característica más pequeño o al tamaño más pequeño medible en un proceso determinado.
Constante dependiente del proceso
- La constante dependiente del proceso se refiere a un parámetro o valor que caracteriza un aspecto específico del proceso de fabricación y tiene un impacto significativo en el rendimiento de los dispositivos semiconductores.
Longitud de onda en fotolitografía
-
(Medido en Metro)
- La longitud de onda en fotolitografía se refiere al rango específico de radiación electromagnética empleada para modelar obleas semiconductoras durante el proceso de fabricación de semiconductores.
Apertura numérica
- La apertura numérica de un sistema óptico es un parámetro utilizado en óptica para describir la capacidad de un sistema óptico. En el contexto de la fabricación de semiconductores y la fotolitografía.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Constante dependiente del proceso:
1.56 --> No se requiere conversión
Longitud de onda en fotolitografía:
223 nanómetro --> 2.23E-07 Metro
(Verifique la conversión
aquí
)
Apertura numérica:
0.717 --> No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
CD = k
1
*λ
l
/NA -->
1.56*2.23E-07/0.717
Evaluar ... ...
CD
= 4.85188284518829E-07
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
4.85188284518829E-07 Metro -->485.188284518829 nanómetro
(Verifique la conversión
aquí
)
RESPUESTA FINAL
485.188284518829
≈
485.1883 nanómetro
<--
Dimensión crítica
(Cálculo completado en 00.004 segundos)
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Dimensión crítica
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Creado por
banuprakash
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Bangalore
¡banuprakash ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!
Verificada por
Santhosh Yadav
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar
(DSCE)
,
banglore
¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!
<
5 Fabricación de circuitos integrados MOS Calculadoras
Efecto corporal en MOSFET
Vamos
Voltaje umbral con sustrato
=
Voltaje umbral con polarización corporal cero
+
Parámetro de efecto corporal
*(
sqrt
(2*
Potencial de Fermi a granel
+
Voltaje aplicado al cuerpo
)-
sqrt
(2*
Potencial de Fermi a granel
))
Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación
Vamos
Corriente de drenaje
=
Parámetro de transconductancia
/2*(
Voltaje de fuente de puerta
-
Voltaje umbral con polarización corporal cero
)^2*(1+
Factor de modulación de longitud del canal
*
Voltaje de la fuente de drenaje
)
Tiempo de propagación
Vamos
Tiempo de propagación
= 0.7*
Número de transistores de paso
*((
Número de transistores de paso
+1)/2)*
Resistencia en MOSFET
*
Capacitancia de carga
Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET
Vamos
Frecuencia de ganancia unitaria en MOSFET
=
Transconductancia en MOSFET
/(
Capacitancia de la fuente de puerta
+
Capacitancia de drenaje de compuerta
)
Resistencia del canal
Vamos
Resistencia del canal
=
Longitud del transistor
/
Ancho del transistor
*1/(
Movilidad electrónica
*
Densidad del portador
)
Dimensión crítica Fórmula
Dimensión crítica
=
Constante dependiente del proceso
*
Longitud de onda en fotolitografía
/
Apertura numérica
CD
=
k
1
*
λ
l
/
NA
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