Calculadora MCM

Calculadora Contacto Diferencia potencial

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✖La temperatura absoluta representa la temperatura del sistema.ⓘ Temperatura absoluta [T]			+10% -10%
✖La concentración del aceptor se refiere a la concentración de átomos dopantes aceptores en un material semiconductor.ⓘ Concentración de aceptor [N_A]			+10% -10%
✖La concentración de donante se refiere a la concentración de átomos dopantes donantes introducidos en un material semiconductor para aumentar la cantidad de electrones libres.ⓘ Concentración de donantes [N_D]			+10% -10%
✖La concentración de portadores intrínsecos se refiere a la concentración de portadores de carga, tanto mayoritarios como minoritarios, de un semiconductor intrínseco en equilibrio térmico.ⓘ Concentración de portador intrínseco [n1_i]			+10% -10%

✖El voltaje a través de la unión PN es el potencial incorporado a través de la unión pn de un semiconductor sin ninguna polarización externa.ⓘ Contacto Diferencia potencial [V₀]

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Fórmula

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Contacto Diferencia potencial Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Voltaje a través de la unión PN = ([BoltZ]*Temperatura absoluta)/[Charge-e]*ln((Concentración de aceptor*Concentración de donantes)/(Concentración de portador intrínseco)^2)
V₀ = ([BoltZ]*T)/[Charge-e]*ln((N_A*N_D)/(n1_i)^2)
Esta fórmula usa 2 Constantes, 1 Funciones, 5 Variables

Constantes utilizadas

[Charge-e] - carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19
[BoltZ] - constante de Boltzmann Valor tomado como 1.38064852E-23

Funciones utilizadas

ln - El logaritmo natural, también conocido como logaritmo en base e, es la función inversa de la función exponencial natural., ln(Number)

Variables utilizadas

Voltaje a través de la unión PN - (Medido en Voltio) - El voltaje a través de la unión PN es el potencial incorporado a través de la unión pn de un semiconductor sin ninguna polarización externa.
Temperatura absoluta - (Medido en Kelvin) - La temperatura absoluta representa la temperatura del sistema.
Concentración de aceptor - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración del aceptor se refiere a la concentración de átomos dopantes aceptores en un material semiconductor.
Concentración de donantes - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de donante se refiere a la concentración de átomos dopantes donantes introducidos en un material semiconductor para aumentar la cantidad de electrones libres.
Concentración de portador intrínseco - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de portadores intrínsecos se refiere a la concentración de portadores de carga, tanto mayoritarios como minoritarios, de un semiconductor intrínseco en equilibrio térmico.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Temperatura absoluta: 393 Kelvin --> 393 Kelvin No se requiere conversión
Concentración de aceptor: 1E+22 1 por metro cúbico --> 1E+22 1 por metro cúbico No se requiere conversión
Concentración de donantes: 1E+24 1 por metro cúbico --> 1E+24 1 por metro cúbico No se requiere conversión
Concentración de portador intrínseco: 1E+19 1 por metro cúbico --> 1E+19 1 por metro cúbico No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

V₀ = ([BoltZ]*T)/[Charge-e]*ln((N_A*N_D)/(n1_i)^2) --> ([BoltZ]*393)/[Charge-e]*ln((1E+22*1E+24)/(1E+19)^2)

Evaluar ... ...

V₀ = 0.623836767969216

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.623836767969216 Voltio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

0.623836767969216 ≈ 0.623837 Voltio <-- Voltaje a través de la unión PN

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

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