Conductividad del tipo P Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio del tipo P)+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de equilibrio del tipo P)
σ = q*(μn*(ni^2/Na)+μp*Na)
Esta fórmula usa 6 Variables
Variables utilizadas
Conductividad óhmica - (Medido en Siemens/Metro) - La conductividad óhmica es la medida de la capacidad del material para pasar el flujo de corriente eléctrica. La conductividad eléctrica difiere de un material a otro.
Cargar - (Medido en Culombio) - Carga característica de una unidad de materia que expresa en qué medida tiene más o menos electrones que protones.
Movilidad del silicio con dopaje electrónico - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad del silicio con dopaje electrónico caracteriza la rapidez con la que un electrón puede moverse a través de un metal o semiconductor cuando es atraído por un campo eléctrico.
Concentración intrínseca - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración intrínseca es la cantidad de electrones en la banda de conducción o la cantidad de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco.
Concentración de equilibrio del tipo P - (Medido en 1 por metro cúbico) - Concentración de equilibrio de los electrones de tipo P son los portadores minoritarios y los huecos son los portadores mayoritarios.
Movilidad de silicio con dopaje de orificios - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad del silicio con dopaje de huecos es la capacidad de un hueco de viajar a través de un metal o semiconductor en presencia de un campo eléctrico aplicado.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Cargar: 5 miliculombio --> 0.005 Culombio (Verifique la conversión ​aquí)
Movilidad del silicio con dopaje electrónico: 0.38 centímetro cuadrado por segundo voltio --> 3.8E-05 Metro cuadrado por voltio por segundo (Verifique la conversión ​aquí)
Concentración intrínseca: 1.32 1 por centímetro cúbico --> 1320000 1 por metro cúbico (Verifique la conversión ​aquí)
Concentración de equilibrio del tipo P: 7.1 1 por centímetro cúbico --> 7100000 1 por metro cúbico (Verifique la conversión ​aquí)
Movilidad de silicio con dopaje de orificios: 2.4 centímetro cuadrado por segundo voltio --> 0.00024 Metro cuadrado por voltio por segundo (Verifique la conversión ​aquí)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
σ = q*(μn*(ni^2/Na)+μp*Na) --> 0.005*(3.8E-05*(1320000^2/7100000)+0.00024*7100000)
Evaluar ... ...
σ = 8.5666276056338
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
8.5666276056338 Siemens/Metro -->0.085666276056338 Mho/Centímetro (Verifique la conversión ​aquí)
RESPUESTA FINAL
0.085666276056338 0.085666 Mho/Centímetro <-- Conductividad óhmica
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Raúl Gupta
Universidad de Chandigarh (CU), Mohali, Punyab
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Verifier Image
Verificada por Ritwik Tripathi
Instituto de Tecnología de Vellore (VIT Vellore), Vellore
¡Ritwik Tripathi ha verificado esta calculadora y 100+ más calculadoras!

Fabricación de circuitos integrados bipolares Calculadoras

Conductividad de tipo N
​ LaTeX ​ Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de equilibrio de tipo N+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio de tipo N))
Conductividad óhmica de la impureza
​ LaTeX ​ Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de electrones+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de agujeros)
Impureza con concentración intrínseca
​ LaTeX ​ Vamos Concentración intrínseca = sqrt((Concentración de electrones*Concentración de agujeros)/Impureza de temperatura)
Voltaje de ruptura del emisor colector
​ LaTeX ​ Vamos Voltaje de ruptura del emisor del colector = Voltaje de ruptura de la base del colector/(Ganancia actual de BJT)^(1/Número raíz)

Conductividad del tipo P Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio del tipo P)+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de equilibrio del tipo P)
σ = q*(μn*(ni^2/Na)+μp*Na)
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