Calculadora Conductividad de tipo N

Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de equilibrio de tipo N+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio de tipo N))
σ = q*(μ_n*N_d+μ_p*(n_i^2/N_d))
Esta fórmula usa 6 Variables
Conductividad óhmica - (Medido en Siemens/Metro) - La conductividad óhmica es la medida de la capacidad del material para pasar el flujo de corriente eléctrica. La conductividad eléctrica difiere de un material a otro.
Cargar - (Medido en Culombio) - Carga característica de una unidad de materia que expresa en qué medida tiene más o menos electrones que protones.
Movilidad del silicio con dopaje electrónico - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad del silicio con dopaje electrónico caracteriza la rapidez con la que un electrón puede moverse a través de un metal o semiconductor cuando es atraído por un campo eléctrico.
Concentración de equilibrio de tipo N - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de equilibrio del tipo N es igual a la densidad de los átomos donantes porque los electrones para la conducción los proporciona únicamente el átomo donante.
Movilidad de silicio con dopaje de orificios - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad del silicio con dopaje de huecos es la capacidad de un hueco de viajar a través de un metal o semiconductor en presencia de un campo eléctrico aplicado.
Concentración intrínseca - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración intrínseca es la cantidad de electrones en la banda de conducción o la cantidad de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco.

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