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Calculadora Conductividad del tipo P

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✖Carga característica de una unidad de materia que expresa en qué medida tiene más o menos electrones que protones.ⓘ Cargar [q]			+10% -10%
✖La movilidad del silicio con dopaje electrónico caracteriza la rapidez con la que un electrón puede moverse a través de un metal o semiconductor cuando es atraído por un campo eléctrico.ⓘ Movilidad del silicio con dopaje electrónico [μ_n]			+10% -10%
✖La concentración intrínseca es la cantidad de electrones en la banda de conducción o la cantidad de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco.ⓘ Concentración intrínseca [n_i]			+10% -10%
✖Concentración de equilibrio de los electrones de tipo P son los portadores minoritarios y los huecos son los portadores mayoritarios.ⓘ Concentración de equilibrio del tipo P [N_a]			+10% -10%
✖La movilidad del silicio con dopaje de huecos es la capacidad de un hueco de viajar a través de un metal o semiconductor en presencia de un campo eléctrico aplicado.ⓘ Movilidad de silicio con dopaje de orificios [μ_p]			+10% -10%

✖La conductividad óhmica es la medida de la capacidad del material para pasar el flujo de corriente eléctrica. La conductividad eléctrica difiere de un material a otro.ⓘ Conductividad del tipo P [σ]

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Fórmula

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Conductividad del tipo P

Fórmula

σ = q \cdot (μ n \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N a}) + μ p \cdot N a)

Ejemplo

0.085666 mho/cm = 5 mC \cdot (0.38 cm²/V*s \cdot (\frac{{1.32 /cm³}^{2}}{7.1 /cm³}) + 2.4 cm²/V*s \cdot 7.1 /cm³)

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Conductividad del tipo P Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio del tipo P)+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de equilibrio del tipo P)
σ = q*(μ_n*(n_i^2/N_a)+μ_p*N_a)
Esta fórmula usa 6 Variables

Variables utilizadas

Conductividad óhmica - (Medido en Siemens/Metro) - La conductividad óhmica es la medida de la capacidad del material para pasar el flujo de corriente eléctrica. La conductividad eléctrica difiere de un material a otro.
Cargar - (Medido en Culombio) - Carga característica de una unidad de materia que expresa en qué medida tiene más o menos electrones que protones.
Movilidad del silicio con dopaje electrónico - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad del silicio con dopaje electrónico caracteriza la rapidez con la que un electrón puede moverse a través de un metal o semiconductor cuando es atraído por un campo eléctrico.
Concentración intrínseca - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración intrínseca es la cantidad de electrones en la banda de conducción o la cantidad de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco.
Concentración de equilibrio del tipo P - (Medido en 1 por metro cúbico) - Concentración de equilibrio de los electrones de tipo P son los portadores minoritarios y los huecos son los portadores mayoritarios.
Movilidad de silicio con dopaje de orificios - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad del silicio con dopaje de huecos es la capacidad de un hueco de viajar a través de un metal o semiconductor en presencia de un campo eléctrico aplicado.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Cargar: 5 miliculombio --> 0.005 Culombio (Verifique la conversión aquí)
Movilidad del silicio con dopaje electrónico: 0.38 centímetro cuadrado por segundo voltio --> 3.8E-05 Metro cuadrado por voltio por segundo (Verifique la conversión aquí)
Concentración intrínseca: 1.32 1 por centímetro cúbico --> 1320000 1 por metro cúbico (Verifique la conversión aquí)
Concentración de equilibrio del tipo P: 7.1 1 por centímetro cúbico --> 7100000 1 por metro cúbico (Verifique la conversión aquí)
Movilidad de silicio con dopaje de orificios: 2.4 centímetro cuadrado por segundo voltio --> 0.00024 Metro cuadrado por voltio por segundo (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

σ = q*(μ_n*(n_i^2/N_a)+μ_p*N_a) --> 0.005*(3.8E-05*(1320000^2/7100000)+0.00024*7100000)

Evaluar ... ...

σ = 8.5666276056338

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

8.5666276056338 Siemens/Metro -->0.085666276056338 Mho/Centímetro (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

0.085666276056338 ≈ 0.085666 Mho/Centímetro <-- Conductividad óhmica

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Raúl Gupta

Universidad de Chandigarh (CU), Mohali, Punyab

¡Raúl Gupta ha creado esta calculadora y 25+ más calculadoras!

Verificada por Ritwik Tripathi

Instituto de Tecnología de Vellore (VIT Vellore), Vellore

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Conductividad de tipo N

Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de equilibrio de tipo N+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio de tipo N))

Conductividad óhmica de la impureza

Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de electrones+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de agujeros)

Impureza con concentración intrínseca

Vamos Concentración intrínseca = sqrt((Concentración de electrones*Concentración de agujeros)/Impureza de temperatura)

Voltaje de ruptura del emisor colector

Vamos Voltaje de ruptura del emisor del colector = Voltaje de ruptura de la base del colector/(Ganancia actual de BJT)^(1/Número raíz)