Conductividad de semiconductores extrínsecos para tipo N Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Conductividad de semiconductores extrínsecos (tipo n) = Concentración de donantes*[Charge-e]*Movilidad de electrones
σn = Nd*[Charge-e]*μn
Esta fórmula usa 1 Constantes, 3 Variables
Constantes utilizadas
[Charge-e] - carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19
Variables utilizadas
Conductividad de semiconductores extrínsecos (tipo n) - (Medido en Siemens/Metro) - La conductividad de los semiconductores extrínsecos (tipo n) es la medida de la facilidad con la que una carga eléctrica o calor puede pasar a través de un material semiconductor extrínseco de tipo n.
Concentración de donantes - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración donante es la concentración de electrones en el estado donante.
Movilidad de electrones - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad del electrón se define como la magnitud de la velocidad de deriva promedio por unidad de campo eléctrico.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Concentración de donantes: 2E+17 1 por metro cúbico --> 2E+17 1 por metro cúbico No se requiere conversión
Movilidad de electrones: 180 Metro cuadrado por voltio por segundo --> 180 Metro cuadrado por voltio por segundo No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
σn = Nd*[Charge-e]*μn --> 2E+17*[Charge-e]*180
Evaluar ... ...
σn = 5.767835832
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
5.767835832 Siemens/Metro --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
5.767835832 5.767836 Siemens/Metro <-- Conductividad de semiconductores extrínsecos (tipo n)
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

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Creado por Akshada Kulkarni
Instituto Nacional de Tecnología de la Información (NIIT), Neemrana
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Verificada por Equipo Softusvista
Oficina Softusvista (Pune), India
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Características de los semiconductores Calculadoras

Conductividad en semiconductores
​ LaTeX ​ Vamos Conductividad = (Densidad de electrones*[Charge-e]*Movilidad de electrones)+(Densidad de agujeros*[Charge-e]*Movilidad de Agujeros)
Longitud de difusión de electrones
​ LaTeX ​ Vamos Longitud de difusión de electrones = sqrt(Constante de difusión de electrones*Portador minoritario de por vida)
Nivel de Fermi de semiconductores intrínsecos
​ LaTeX ​ Vamos Semiconductor intrínseco de nivel Fermi = (Energía de banda de conducción+Energía de la banda de cenefa)/2
Movilidad de los portadores de carga
​ LaTeX ​ Vamos Movilidad de Portadores de Carga = Velocidad de deriva/Intensidad del campo eléctrico

Conductividad de semiconductores extrínsecos para tipo N Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Conductividad de semiconductores extrínsecos (tipo n) = Concentración de donantes*[Charge-e]*Movilidad de electrones
σn = Nd*[Charge-e]*μn

¿Qué son los semiconductores extrínsecos?

Los semiconductores extrínsecos son simplemente semiconductores intrínsecos que han sido dopados con átomos de impureza (defectos de sustitución unidimensionales en este caso). El dopaje es el proceso en el que los semiconductores aumentan su conductividad eléctrica al introducir átomos de diferentes elementos en su red.

¿Qué es un semiconductor extrínseco tipo n?

Un semiconductor de tipo n se crea cuando los semiconductores puros, como Si y Ge, se dopan con elementos pentavalentes. cuando un semiconductor está dopado con un átomo pentavalente, los electrones son los portadores de carga mayoritarios. Por otro lado, los huecos son los portadores de cargas minoritarios. Por lo tanto, estos semiconductores extrínsecos se denominan semiconductores de tipo n. En un semiconductor de tipo n, Número de electrones libres >> Número de agujeros

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