✖La movilidad de los electrones en la superficie del canal se refiere a la capacidad de los electrones para moverse o viajar a través de la superficie de un material semiconductor, como un canal de silicio en un transistor.ⓘ Movilidad de electrones en la superficie del canal. [μs] | | | +10% -10% |
✖La capacitancia de óxido es un parámetro importante que afecta el rendimiento de los dispositivos MOS, como la velocidad y el consumo de energía de los circuitos integrados.ⓘ Capacitancia de óxido [Cox] | | | +10% -10% |
✖El ancho del canal se refiere al rango de frecuencias utilizadas para transmitir datos a través de un canal de comunicación inalámbrica. También se le conoce como ancho de banda y se mide en hercios (Hz).ⓘ Ancho de banda [Wc] | | | +10% -10% |
✖La longitud del canal se refiere a la distancia entre los terminales de fuente y drenaje en un transistor de efecto de campo (FET).ⓘ Longitud del canal [L] | | | +10% -10% |
✖Voltaje a través del óxido debido a la carga en la interfaz óxido-semiconductor y el tercer término se debe a la densidad de carga en el óxido.ⓘ Voltaje a través de óxido [Vox] | | | +10% -10% |