✖La movilidad de los electrones en la superficie del canal se refiere a la capacidad de los electrones para moverse o viajar a través de la superficie de un material semiconductor, como un canal de silicio en un transistor.ⓘ Movilidad de electrones en la superficie del canal. [μs] | | | +10% -10% |
✖La capacitancia de óxido es un parámetro importante que afecta el rendimiento de los dispositivos MOS, como la velocidad y el consumo de energía de los circuitos integrados.ⓘ Capacitancia de óxido [Cox] | | | +10% -10% |
✖El ancho del canal se refiere al rango de frecuencias utilizadas para transmitir datos a través de un canal de comunicación inalámbrica. También se le conoce como ancho de banda y se mide en hercios (Hz).ⓘ Ancho de banda [Wc] | | | +10% -10% |
✖La longitud del canal se refiere a la distancia entre los terminales de fuente y drenaje en un transistor de efecto de campo (FET).ⓘ Longitud del canal [L] | | | +10% -10% |
✖El voltaje de la fuente de puerta es un parámetro crítico que afecta el funcionamiento de un FET y, a menudo, se usa para controlar el comportamiento del dispositivo.ⓘ Voltaje puerta-fuente [Vgs] | | | +10% -10% |
✖El voltaje de umbral, también conocido como voltaje de umbral de puerta o simplemente Vth, es un parámetro crítico en el funcionamiento de los transistores de efecto de campo, que son componentes fundamentales en la electrónica moderna.ⓘ Voltaje de umbral [Vth] | | | +10% -10% |