Concentración de electrones inyectados desde el emisor a la base Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Concentración de e- Inyectado de Emisor a Base = Concentración de equilibrio térmico*e^(Voltaje base-emisor/Voltaje Térmico)
Np = npo*e^(VBE/Vt)
Esta fórmula usa 1 Constantes, 4 Variables
Constantes utilizadas
e - la constante de napier Valor tomado como 2.71828182845904523536028747135266249
Variables utilizadas
Concentración de e- Inyectado de Emisor a Base - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de e- inyectada del emisor a la base es el número de electrones que pasan del emisor a la base.
Concentración de equilibrio térmico - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de equilibrio térmico se define como la concentración de portadores en un amplificador.
Voltaje base-emisor - (Medido en Voltio) - El voltaje base-emisor es el voltaje directo entre la base y el emisor del transistor.
Voltaje Térmico - (Medido en Voltio) - El voltaje térmico es el voltaje producido dentro de la unión pn.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Concentración de equilibrio térmico: 1E+18 1 por metro cúbico --> 1E+18 1 por metro cúbico No se requiere conversión
Voltaje base-emisor: 5.15 Voltio --> 5.15 Voltio No se requiere conversión
Voltaje Térmico: 4.7 Voltio --> 4.7 Voltio No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Np = npo*e^(VBE/Vt) --> 1E+18*e^(5.15/4.7)
Evaluar ... ...
Np = 2.99140949952878E+18
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
2.99140949952878E+18 1 por metro cúbico --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
2.99140949952878E+18 3E+18 1 por metro cúbico <-- Concentración de e- Inyectado de Emisor a Base
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Payal Priya
Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri
¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

Efectos capacitivos internos y modelo de alta frecuencia Calculadoras

Capacitancia de difusión de señal pequeña de BJT
​ LaTeX ​ Vamos Capacitancia base-emisor = Constante del dispositivo*(Colector de corriente/Voltaje de umbral)
Carga de electrones almacenados en la base de BJT
​ LaTeX ​ Vamos Carga de electrones almacenada = Constante del dispositivo*Colector de corriente
Capacitancia de difusión de señal pequeña
​ LaTeX ​ Vamos Capacitancia base-emisor = Constante del dispositivo*Transconductancia
Capacitancia de unión base-emisor
​ LaTeX ​ Vamos Capacitancia de unión base-emisor = 2*Capacitancia base-emisor

Concentración de electrones inyectados desde el emisor a la base Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Concentración de e- Inyectado de Emisor a Base = Concentración de equilibrio térmico*e^(Voltaje base-emisor/Voltaje Térmico)
Np = npo*e^(VBE/Vt)

¿Cómo se distribuyen los portadores de cargos minoritarios en BJT?

El funcionamiento físico del BJT se puede mejorar considerando la distribución de portadores de carga minoritarios en la base y el emisor. Los perfiles de concentración de electrones en la base y huecos en el emisor de un transistor NPN que opera en modo activo. Observe que dado que la concentración de dopaje en el emisor, ND, es mucho mayor que la concentración de dopaje en la base, NA, la concentración de electrones inyectados desde el emisor a la base, n

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