Capacitancia de base de colector Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Capacitancia de la base del colector = Área de unión de la base del emisor*sqrt((Cargar*Permitividad*Densidad de dopaje)/(2*(Potencial incorporado+Unión de polarización inversa)))
Ccb = A*sqrt((q*ε*Nb)/(2*(ψo+Vrb)))
Esta fórmula usa 1 Funciones, 7 Variables
Funciones utilizadas
sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)
Variables utilizadas
Capacitancia de la base del colector - (Medido en Faradio) - La capacitancia de la base del colector es simplemente la capacitancia de la unión de la base del colector, incluida tanto la parte inferior plana de la unión como las paredes laterales.
Área de unión de la base del emisor - (Medido en Metro cuadrado) - El área de unión de la base del emisor es una unión PN formada entre el material tipo P fuertemente dopado (emisor) y el material tipo N ligeramente dopado (base) del transistor.
Cargar - (Medido en Culombio) - Carga característica de una unidad de materia que expresa en qué medida tiene más o menos electrones que protones.
Permitividad - (Medido en farad por metro) - La permitividad es una propiedad física que describe cuánta resistencia ofrece un material a la formación de un campo eléctrico en su interior.
Densidad de dopaje - (Medido en Electrones por metro cúbico) - La densidad de dopaje es un proceso en el que ciertos átomos de impureza, como fósforo o boro, se introducen en el semiconductor para alterar sus propiedades eléctricas.
Potencial incorporado - (Medido en Voltio) - El potencial incorporado afecta el tamaño de la región de agotamiento, lo que a su vez influye en la capacitancia de la unión.
Unión de polarización inversa - (Medido en Amperio) - La unión de polarización inversa se refiere a la condición en un dispositivo semiconductor, donde el voltaje aplicado a través de la unión se opone al flujo normal de corriente a través del dispositivo.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Área de unión de la base del emisor: 1.75 Centímetro cuadrado --> 0.000175 Metro cuadrado (Verifique la conversión ​aquí)
Cargar: 5 miliculombio --> 0.005 Culombio (Verifique la conversión ​aquí)
Permitividad: 71 farad por metro --> 71 farad por metro No se requiere conversión
Densidad de dopaje: 26 Electrones por metro cúbico --> 26 Electrones por metro cúbico No se requiere conversión
Potencial incorporado: 4.8 Voltio --> 4.8 Voltio No se requiere conversión
Unión de polarización inversa: 2.55 Amperio --> 2.55 Amperio No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Ccb = A*sqrt((q*ε*Nb)/(2*(ψo+Vrb))) --> 0.000175*sqrt((0.005*71*26)/(2*(4.8+2.55)))
Evaluar ... ...
Ccb = 0.000138669270808881
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.000138669270808881 Faradio -->138.669270808881 Microfaradio (Verifique la conversión ​aquí)
RESPUESTA FINAL
138.669270808881 138.6693 Microfaradio <-- Capacitancia de la base del colector
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Raúl Gupta
Universidad de Chandigarh (CU), Mohali, Punyab
¡Raúl Gupta ha creado esta calculadora y 25+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por parminder singh
Universidad de Chandigarh (CU), Punjab
¡parminder singh ha verificado esta calculadora y 500+ más calculadoras!

Efectos capacitivos internos y modelo de alta frecuencia Calculadoras

Capacitancia de difusión de señal pequeña de BJT
​ LaTeX ​ Vamos Capacitancia base-emisor = Constante del dispositivo*(Colector de corriente/Voltaje de umbral)
Carga de electrones almacenados en la base de BJT
​ LaTeX ​ Vamos Carga de electrones almacenada = Constante del dispositivo*Colector de corriente
Capacitancia de difusión de señal pequeña
​ LaTeX ​ Vamos Capacitancia base-emisor = Constante del dispositivo*Transconductancia
Capacitancia de unión base-emisor
​ LaTeX ​ Vamos Capacitancia de unión base-emisor = 2*Capacitancia base-emisor

Capacitancia de base de colector Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Capacitancia de la base del colector = Área de unión de la base del emisor*sqrt((Cargar*Permitividad*Densidad de dopaje)/(2*(Potencial incorporado+Unión de polarización inversa)))
Ccb = A*sqrt((q*ε*Nb)/(2*(ψo+Vrb)))
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