✖El área de unión de la base del emisor es una unión PN formada entre el material tipo P fuertemente dopado (emisor) y el material tipo N ligeramente dopado (base) del transistor.ⓘ Área de unión de la base del emisor [A] | | | +10% -10% |
✖Carga característica de una unidad de materia que expresa en qué medida tiene más o menos electrones que protones.ⓘ Cargar [q] | | | +10% -10% |
✖La permitividad es una propiedad física que describe cuánta resistencia ofrece un material a la formación de un campo eléctrico en su interior.ⓘ Permitividad [ε] | | | +10% -10% |
✖La densidad de dopaje es un proceso en el que ciertos átomos de impureza, como fósforo o boro, se introducen en el semiconductor para alterar sus propiedades eléctricas.ⓘ Densidad de dopaje [Nb] | | | +10% -10% |
✖El potencial incorporado afecta el tamaño de la región de agotamiento, lo que a su vez influye en la capacitancia de la unión.ⓘ Potencial incorporado [ψo] | | | +10% -10% |
✖La unión de polarización inversa se refiere a la condición en un dispositivo semiconductor, donde el voltaje aplicado a través de la unión se opone al flujo normal de corriente a través del dispositivo.ⓘ Unión de polarización inversa [Vrb] | | | +10% -10% |