Calculadora Capacitancia de base de colector

Capacitancia de la base del colector = Área de unión de la base del emisor*sqrt((Cargar*Permitividad*Densidad de dopaje)/(2*(Potencial incorporado+Unión de polarización inversa)))
C_cb = A*sqrt((q*ε*N_b)/(2*(ψ_o+V_rb)))
Esta fórmula usa 1 Funciones, 7 Variables
sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)Capacitancia de la base del colector - (Medido en Faradio) - La capacitancia de la base del colector es simplemente la capacitancia de la unión de la base del colector, incluida tanto la parte inferior plana de la unión como las paredes laterales.
Área de unión de la base del emisor - (Medido en Metro cuadrado) - El área de unión de la base del emisor es una unión PN formada entre el material tipo P fuertemente dopado (emisor) y el material tipo N ligeramente dopado (base) del transistor.
Cargar - (Medido en Culombio) - Carga característica de una unidad de materia que expresa en qué medida tiene más o menos electrones que protones.
Permitividad - (Medido en farad por metro) - La permitividad es una propiedad física que describe cuánta resistencia ofrece un material a la formación de un campo eléctrico en su interior.
Densidad de dopaje - (Medido en Electrones por metro cúbico) - La densidad de dopaje es un proceso en el que ciertos átomos de impureza, como fósforo o boro, se introducen en el semiconductor para alterar sus propiedades eléctricas.
Potencial incorporado - (Medido en Voltio) - El potencial incorporado afecta el tamaño de la región de agotamiento, lo que a su vez influye en la capacitancia de la unión.
Unión de polarización inversa - (Medido en Amperio) - La unión de polarización inversa se refiere a la condición en un dispositivo semiconductor, donde el voltaje aplicado a través de la unión se opone al flujo normal de corriente a través del dispositivo.

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