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✖La longitud del transistor se refiere a la longitud de la región del canal en un MOSFET. Esta dimensión juega un papel crucial en la determinación de las características eléctricas y el rendimiento del transistor.ⓘ Longitud del transistor [L_t]			+10% -10%
✖El ancho del transistor se refiere al ancho de la región del canal en un MOSFET. Esta dimensión juega un papel crucial en la determinación de las características eléctricas y el rendimiento del transistor.ⓘ Ancho del transistor [W_t]			+10% -10%
✖La movilidad electrónica describe la rapidez con la que los electrones pueden moverse a través del material en respuesta a un campo eléctrico.ⓘ Movilidad electrónica [μ_n]			+10% -10%
✖La densidad de portadores se refiere al número de portadores de carga (electrones o huecos) presentes en el canal del semiconductor.ⓘ Densidad del portador [Q_on]			+10% -10%

✖La resistencia del canal se refiere a la resistencia ofrecida por el material semiconductor en el canal a través del cual fluye la corriente entre los terminales de fuente y drenaje.ⓘ Resistencia del canal [R_ch]

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Resistencia del canal Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Resistencia del canal = Longitud del transistor/Ancho del transistor*1/(Movilidad electrónica*Densidad del portador)
R_ch = L_t/W_t*1/(μ_n*Q_on)
Esta fórmula usa 5 Variables

Variables utilizadas

Resistencia del canal - (Medido en Ohm) - La resistencia del canal se refiere a la resistencia ofrecida por el material semiconductor en el canal a través del cual fluye la corriente entre los terminales de fuente y drenaje.
Longitud del transistor - (Medido en Metro) - La longitud del transistor se refiere a la longitud de la región del canal en un MOSFET. Esta dimensión juega un papel crucial en la determinación de las características eléctricas y el rendimiento del transistor.
Ancho del transistor - (Medido en Metro) - El ancho del transistor se refiere al ancho de la región del canal en un MOSFET. Esta dimensión juega un papel crucial en la determinación de las características eléctricas y el rendimiento del transistor.
Movilidad electrónica - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad electrónica describe la rapidez con la que los electrones pueden moverse a través del material en respuesta a un campo eléctrico.
Densidad del portador - (Medido en Electrones por metro cúbico) - La densidad de portadores se refiere al número de portadores de carga (electrones o huecos) presentes en el canal del semiconductor.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Longitud del transistor: 3.2 Micrómetro --> 3.2E-06 Metro (Verifique la conversión aquí)
Ancho del transistor: 5.5 Micrómetro --> 5.5E-06 Metro (Verifique la conversión aquí)
Movilidad electrónica: 30 Metro cuadrado por voltio por segundo --> 30 Metro cuadrado por voltio por segundo No se requiere conversión
Densidad del portador: 0.0056 Electrones por metro cúbico --> 0.0056 Electrones por metro cúbico No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

R_ch = L_t/W_t*1/(μ_n*Q_on) --> 3.2E-06/5.5E-06*1/(30*0.0056)

Evaluar ... ...

R_ch = 3.46320346320346

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

3.46320346320346 Ohm --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

3.46320346320346 ≈ 3.463203 Ohm <-- Resistencia del canal

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

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Créditos

Creado por banuprakash

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Verificada por Santhosh Yadav

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore

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