¿Cómo se deriva el modelo de canal largo?
El modelo de canal largo se deriva relacionando la corriente y el voltaje (IV) para un transistor nMOS en cada una de las regiones de corte o subumbral, lineal y de saturación. El modelo asume que la longitud del canal es lo suficientemente larga como para que el campo eléctrico lateral (el campo entre la fuente y el drenaje) sea relativamente bajo, lo que ya no es el caso en los dispositivos nanométricos. Este modelo se conoce como modelo de canal largo, ideal, de primer orden o de Shockley.