Reactancia capacitiva de Mosfet Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Reactancia capacitiva = 1/(2*pi*Frecuencia*Capacidad)
Xc = 1/(2*pi*f*c)
Esta fórmula usa 1 Constantes, 3 Variables
Constantes utilizadas
pi - La constante de Arquímedes. Valor tomado como 3.14159265358979323846264338327950288
Variables utilizadas
Reactancia capacitiva - (Medido en Ohm) - La reactancia capacitiva de un condensador es inversamente proporcional a la frecuencia de la señal de CA. Esto significa que a medida que aumenta la frecuencia, la reactancia capacitiva disminuye.
Frecuencia - (Medido en hercios) - La frecuencia es el número de ocurrencias de un evento repetido por unidad de tiempo. En ocasiones también se la denomina frecuencia temporal para mayor claridad y para distinguirla de la frecuencia espacial.
Capacidad - (Medido en Faradio) - La capacitancia es la capacidad de un dispositivo para almacenar energía eléctrica en forma de carga eléctrica.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Frecuencia: 14 hercios --> 14 hercios No se requiere conversión
Capacidad: 4.78 Faradio --> 4.78 Faradio No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Xc = 1/(2*pi*f*c) --> 1/(2*pi*14*4.78)
Evaluar ... ...
Xc = 0.00237828665708152
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.00237828665708152 Ohm --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
0.00237828665708152 0.002378 Ohm <-- Reactancia capacitiva
(Cálculo completado en 00.020 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Suma Madhuri
Universidad VIT (VIT), Chennai
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Verifier Image
Verificada por Ritwik Tripathi
Instituto de Tecnología de Vellore (VIT Vellore), Vellore
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Efectos capacitivos internos y modelo de alta frecuencia Calculadoras

Frecuencia de transición de MOSFET
​ LaTeX ​ Vamos Frecuencia de transición = Transconductancia/(2*pi*(Capacitancia de puerta de fuente+Capacitancia de drenaje de puerta))
Ancho de puerta a canal de origen de MOSFET
​ LaTeX ​ Vamos Ancho de banda = Capacitancia de superposición/(Capacitancia de óxido*Longitud de superposición)
Capacitancia de superposición de MOSFET
​ LaTeX ​ Vamos Capacitancia de superposición = Ancho de banda*Capacitancia de óxido*Longitud de superposición
Capacitancia total entre puerta y canal de MOSFET
​ LaTeX ​ Vamos Capacitancia del canal de puerta = Capacitancia de óxido*Ancho de banda*Longitud del canal

Reactancia capacitiva de Mosfet Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Reactancia capacitiva = 1/(2*pi*Frecuencia*Capacidad)
Xc = 1/(2*pi*f*c)
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