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✖Extensión lateral de la región de agotamiento con la fuente la distancia horizontal a través de la cual la región de agotamiento se extiende lateralmente desde el terminal fuente en un dispositivo semiconductor.ⓘ Extensión lateral de la región de agotamiento con fuente [ΔL_s]			+10% -10%
✖Extensión lateral de la región de agotamiento con drenaje la distancia horizontal a través de la cual la región de agotamiento se extiende lateralmente desde el terminal de drenaje en un dispositivo semiconductor.ⓘ Extensión lateral de la región de agotamiento con drenaje [ΔL_D]			+10% -10%
✖La longitud del canal se refiere a la longitud física del material semiconductor entre los terminales de fuente y drenaje dentro de la estructura del transistor.ⓘ Longitud del canal [L]			+10% -10%
✖La concentración del aceptor se refiere a la concentración de átomos dopantes aceptores en un material semiconductor.ⓘ Concentración de aceptor [N_A]			+10% -10%
✖El potencial de superficie es un parámetro clave en la evaluación de la propiedad de CC de los transistores de película delgada.ⓘ Potencial de superficie [Φ_s]			+10% -10%

✖La densidad de carga de la región de agotamiento masivo se define como la carga eléctrica por unidad de área asociada con la región de agotamiento en la mayor parte de un dispositivo semiconductor.ⓘ Región de agotamiento masivo Densidad de carga VLSI [Q_B0]

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Fórmula

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Región de agotamiento masivo Densidad de carga VLSI

Fórmula

Q B0 = - (1 - (\frac{ΔL s + ΔL D}{2 \cdot L})) \cdot \sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot N A \cdot | 2 \cdot Φ s |}

Ejemplo

-0.200558 μC/cm² = - (1 - (\frac{0.1 μm + 0.2 μm}{2 \cdot 2.5 μm})) \cdot \sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot 1e+16 /cm³ \cdot | 2 \cdot 6.86 V |}

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Región de agotamiento masivo Densidad de carga VLSI Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Densidad de carga de la región de agotamiento masivo = -(1-((Extensión lateral de la región de agotamiento con fuente+Extensión lateral de la región de agotamiento con drenaje)/(2*Longitud del canal)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentración de aceptor*abs(2*Potencial de superficie))
Q_B0 = -(1-((ΔL_s+ΔL_D)/(2*L)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*N_A*abs(2*Φ_s))
Esta fórmula usa 3 Constantes, 2 Funciones, 6 Variables

Constantes utilizadas

[Permitivity-silicon] - Permitividad del silicio Valor tomado como 11.7
[Permitivity-vacuum] - Permitividad del vacío Valor tomado como 8.85E-12
[Charge-e] - carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19

Funciones utilizadas

sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)
abs - El valor absoluto de un número es su distancia del cero en la recta numérica. Siempre es un valor positivo, ya que representa la magnitud de un número sin considerar su dirección., abs(Number)

Variables utilizadas

Densidad de carga de la región de agotamiento masivo - (Medido en culombio por metro cuadrado) - La densidad de carga de la región de agotamiento masivo se define como la carga eléctrica por unidad de área asociada con la región de agotamiento en la mayor parte de un dispositivo semiconductor.
Extensión lateral de la región de agotamiento con fuente - (Medido en Metro) - Extensión lateral de la región de agotamiento con la fuente la distancia horizontal a través de la cual la región de agotamiento se extiende lateralmente desde el terminal fuente en un dispositivo semiconductor.
Extensión lateral de la región de agotamiento con drenaje - (Medido en Metro) - Extensión lateral de la región de agotamiento con drenaje la distancia horizontal a través de la cual la región de agotamiento se extiende lateralmente desde el terminal de drenaje en un dispositivo semiconductor.
Longitud del canal - (Medido en Metro) - La longitud del canal se refiere a la longitud física del material semiconductor entre los terminales de fuente y drenaje dentro de la estructura del transistor.
Concentración de aceptor - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración del aceptor se refiere a la concentración de átomos dopantes aceptores en un material semiconductor.
Potencial de superficie - (Medido en Voltio) - El potencial de superficie es un parámetro clave en la evaluación de la propiedad de CC de los transistores de película delgada.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Extensión lateral de la región de agotamiento con fuente: 0.1 Micrómetro --> 1E-07 Metro (Verifique la conversión aquí)
Extensión lateral de la región de agotamiento con drenaje: 0.2 Micrómetro --> 2E-07 Metro (Verifique la conversión aquí)
Longitud del canal: 2.5 Micrómetro --> 2.5E-06 Metro (Verifique la conversión aquí)
Concentración de aceptor: 1E+16 1 por centímetro cúbico --> 1E+22 1 por metro cúbico (Verifique la conversión aquí)
Potencial de superficie: 6.86 Voltio --> 6.86 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

Q_B0 = -(1-((ΔL_s+ΔL_D)/(2*L)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*N_A*abs(2*Φ_s)) --> -(1-((1E-07+2E-07)/(2*2.5E-06)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*1E+22*abs(2*6.86))

Evaluar ... ...

Q_B0 = -0.00200557851391776

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

-0.00200557851391776 culombio por metro cuadrado -->-0.200557851391776 Microculombios por centímetro cuadrado (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

-0.200557851391776 ≈ -0.200558 Microculombios por centímetro cuadrado <-- Densidad de carga de la región de agotamiento masivo

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Priyanka Patel

Facultad de ingeniería Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad

¡Priyanka Patel ha creado esta calculadora y 25+ más calculadoras!

Verificada por Santhosh Yadav

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore

¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

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Coeficiente de efecto corporal

Vamos Coeficiente de efecto corporal = modulus((Voltaje umbral-Tensión umbral DIBL)/(sqrt(Potencial de superficie+(Diferencia de potencial del cuerpo fuente))-sqrt(Potencial de superficie)))

Coeficiente DIBL

Vamos Coeficiente DIBL = (Tensión umbral DIBL-Voltaje umbral)/Drenar a la fuente potencial

Carga de canal

Vamos Cargo del canal = Capacitancia de puerta*(Voltaje de puerta a canal-Voltaje umbral)

Voltaje crítico

Vamos Voltaje crítico = Campo eléctrico crítico*Campo eléctrico a lo largo del canal