Calculadora A a Z
🔍
Descargar PDF
Química
Ingenieria
Financiero
Salud
Mates
Física
Porcentaje de participación
Fracción impropia
MCD de dos números
Calculadora Región de agotamiento masivo Densidad de carga VLSI
Ingenieria
Financiero
Física
Mates
Más >>
↳
Electrónica
Ciencia de los Materiales
Civil
Eléctrico
Más >>
⤿
Fabricación de VLSI
Amplificadores
Antena y propagación de ondas
Circuitos integrados (CI)
Más >>
⤿
Optimización de materiales VLSI
Diseño VLSI analógico
✖
Extensión lateral de la región de agotamiento con la fuente la distancia horizontal a través de la cual la región de agotamiento se extiende lateralmente desde el terminal fuente en un dispositivo semiconductor.
ⓘ
Extensión lateral de la región de agotamiento con fuente [ΔL
s
]
Angstrom
Unidad Astronómica
Centímetro
Decímetro
Radio ecuatorial de la Tierra
Fermi
Pie
Pulgada
Kilómetro
Año luz
Metro
Micropulgada
Micrómetro
Micrón
Milla
Milímetro
nanómetro
Picómetro
Yarda
+10%
-10%
✖
Extensión lateral de la región de agotamiento con drenaje la distancia horizontal a través de la cual la región de agotamiento se extiende lateralmente desde el terminal de drenaje en un dispositivo semiconductor.
ⓘ
Extensión lateral de la región de agotamiento con drenaje [ΔL
D
]
Angstrom
Unidad Astronómica
Centímetro
Decímetro
Radio ecuatorial de la Tierra
Fermi
Pie
Pulgada
Kilómetro
Año luz
Metro
Micropulgada
Micrómetro
Micrón
Milla
Milímetro
nanómetro
Picómetro
Yarda
+10%
-10%
✖
La longitud del canal se refiere a la longitud física del material semiconductor entre los terminales de fuente y drenaje dentro de la estructura del transistor.
ⓘ
Longitud del canal [L]
Angstrom
Unidad Astronómica
Centímetro
Decímetro
Radio ecuatorial de la Tierra
Fermi
Pie
Pulgada
Kilómetro
Año luz
Metro
Micropulgada
Micrómetro
Micrón
Milla
Milímetro
nanómetro
Picómetro
Yarda
+10%
-10%
✖
La concentración del aceptor se refiere a la concentración de átomos dopantes aceptores en un material semiconductor.
ⓘ
Concentración de aceptor [N
A
]
1 por centímetro cúbico
1 por metro cúbico
por litro
+10%
-10%
✖
El potencial de superficie es un parámetro clave en la evaluación de la propiedad de CC de los transistores de película delgada.
ⓘ
Potencial de superficie [Φ
s
]
Kilovoltio
Megavoltio
Microvoltio
milivoltio
nanovoltios
Voltaje de Planck
Voltio
+10%
-10%
✖
La densidad de carga de la región de agotamiento masivo se define como la carga eléctrica por unidad de área asociada con la región de agotamiento en la mayor parte de un dispositivo semiconductor.
ⓘ
Región de agotamiento masivo Densidad de carga VLSI [Q
B0
]
Abculombio por metro cuadrado
culombio por centímetro cuadrado
Culombio por pulgada cuadrada
culombio por metro cuadrado
Microculombios por centímetro cuadrado
⎘ Copiar
Pasos
👎
Fórmula
LaTeX
Reiniciar
👍
Descargar Electrónica Fórmula PDF
Región de agotamiento masivo Densidad de carga VLSI Solución
PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Densidad de carga de la región de agotamiento masivo
= -(1-((
Extensión lateral de la región de agotamiento con fuente
+
Extensión lateral de la región de agotamiento con drenaje
)/(2*
Longitud del canal
)))*
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Concentración de aceptor
*
abs
(2*
Potencial de superficie
))
Q
B0
= -(1-((
ΔL
s
+
ΔL
D
)/(2*
L
)))*
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
N
A
*
abs
(2*
Φ
s
))
Esta fórmula usa
3
Constantes
,
2
Funciones
,
6
Variables
Constantes utilizadas
[Permitivity-silicon]
- Permitividad del silicio Valor tomado como 11.7
[Permitivity-vacuum]
- Permitividad del vacío Valor tomado como 8.85E-12
[Charge-e]
- carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19
Funciones utilizadas
sqrt
- Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)
abs
- El valor absoluto de un número es su distancia al cero en la recta numérica. Siempre es un valor positivo, ya que representa la magnitud de un número sin tener en cuenta su dirección., abs(Number)
Variables utilizadas
Densidad de carga de la región de agotamiento masivo
-
(Medido en culombio por metro cuadrado)
- La densidad de carga de la región de agotamiento masivo se define como la carga eléctrica por unidad de área asociada con la región de agotamiento en la mayor parte de un dispositivo semiconductor.
Extensión lateral de la región de agotamiento con fuente
-
(Medido en Metro)
- Extensión lateral de la región de agotamiento con la fuente la distancia horizontal a través de la cual la región de agotamiento se extiende lateralmente desde el terminal fuente en un dispositivo semiconductor.
Extensión lateral de la región de agotamiento con drenaje
-
(Medido en Metro)
- Extensión lateral de la región de agotamiento con drenaje la distancia horizontal a través de la cual la región de agotamiento se extiende lateralmente desde el terminal de drenaje en un dispositivo semiconductor.
Longitud del canal
-
(Medido en Metro)
- La longitud del canal se refiere a la longitud física del material semiconductor entre los terminales de fuente y drenaje dentro de la estructura del transistor.
Concentración de aceptor
-
(Medido en 1 por metro cúbico)
- La concentración del aceptor se refiere a la concentración de átomos dopantes aceptores en un material semiconductor.
Potencial de superficie
-
(Medido en Voltio)
- El potencial de superficie es un parámetro clave en la evaluación de la propiedad de CC de los transistores de película delgada.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Extensión lateral de la región de agotamiento con fuente:
0.1 Micrómetro --> 1E-07 Metro
(Verifique la conversión
aquí
)
Extensión lateral de la región de agotamiento con drenaje:
0.2 Micrómetro --> 2E-07 Metro
(Verifique la conversión
aquí
)
Longitud del canal:
2.5 Micrómetro --> 2.5E-06 Metro
(Verifique la conversión
aquí
)
Concentración de aceptor:
1E+16 1 por centímetro cúbico --> 1E+22 1 por metro cúbico
(Verifique la conversión
aquí
)
Potencial de superficie:
6.86 Voltio --> 6.86 Voltio No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Q
B0
= -(1-((ΔL
s
+ΔL
D
)/(2*L)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*N
A
*abs(2*Φ
s
)) -->
-(1-((1E-07+2E-07)/(2*2.5E-06)))*
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*1E+22*
abs
(2*6.86))
Evaluar ... ...
Q
B0
= -0.00200557851391776
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
-0.00200557851391776 culombio por metro cuadrado -->-0.200557851391776 Microculombios por centímetro cuadrado
(Verifique la conversión
aquí
)
RESPUESTA FINAL
-0.200557851391776
≈
-0.200558 Microculombios por centímetro cuadrado
<--
Densidad de carga de la región de agotamiento masivo
(Cálculo completado en 00.004 segundos)
Aquí estás
-
Inicio
»
Ingenieria
»
Electrónica
»
Fabricación de VLSI
»
Optimización de materiales VLSI
»
Región de agotamiento masivo Densidad de carga VLSI
Créditos
Creado por
Priyanka Patel
Facultad de ingeniería Lalbhai Dalpatbhai
(LDCE)
,
Ahmedabad
¡Priyanka Patel ha creado esta calculadora y 25+ más calculadoras!
Verificada por
Santhosh Yadav
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar
(DSCE)
,
banglore
¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!
<
Optimización de materiales VLSI Calculadoras
Coeficiente de efecto corporal
LaTeX
Vamos
Coeficiente de efecto corporal
=
modulus
((
Voltaje umbral
-
Tensión umbral DIBL
)/(
sqrt
(
Potencial de superficie
+(
Diferencia de potencial del cuerpo fuente
))-
sqrt
(
Potencial de superficie
)))
Coeficiente DIBL
LaTeX
Vamos
Coeficiente DIBL
= (
Tensión umbral DIBL
-
Voltaje umbral
)/
Drenar a la fuente potencial
Carga de canal
LaTeX
Vamos
Cargo del canal
=
Capacitancia de puerta
*(
Voltaje de puerta a canal
-
Voltaje umbral
)
Voltaje crítico
LaTeX
Vamos
Voltaje crítico
=
Campo eléctrico crítico
*
Campo eléctrico a lo largo del canal
Ver más >>
Región de agotamiento masivo Densidad de carga VLSI Fórmula
LaTeX
Vamos
Densidad de carga de la región de agotamiento masivo
= -(1-((
Extensión lateral de la región de agotamiento con fuente
+
Extensión lateral de la región de agotamiento con drenaje
)/(2*
Longitud del canal
)))*
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Concentración de aceptor
*
abs
(2*
Potencial de superficie
))
Q
B0
= -(1-((
ΔL
s
+
ΔL
D
)/(2*
L
)))*
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
N
A
*
abs
(2*
Φ
s
))
Inicio
GRATIS PDF
🔍
Búsqueda
Categorías
Compartir
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!