Calculadora Potencial incorporado

✖El voltaje térmico es el voltaje producido dentro de la unión pn.ⓘ Voltaje térmico [V_t]			+10% -10%
✖La concentración de aceptor es la concentración de huecos en el estado de aceptor.ⓘ Concentración de aceptor [N_a]			+10% -10%
✖La concentración del donante es la concentración de electrones en el estado donante.ⓘ Concentración de donantes [N_d]			+10% -10%
✖La concentración intrínseca de electrones se define como el número de electrones en la banda de conducción o el número de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco.ⓘ Concentración intrínseca de electrones [n_i]			+10% -10%

✖El potencial incorporado es el potencial dentro del MOSFET.ⓘ Potencial incorporado [ψ_o]

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Potencial incorporado Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Potencial incorporado = Voltaje térmico*ln((Concentración de aceptor*Concentración de donantes)/(Concentración intrínseca de electrones^2))
ψ_o = V_t*ln((N_a*N_d)/(n_i^2))
Esta fórmula usa 1 Funciones, 5 Variables

Funciones utilizadas

ln - El logaritmo natural, también conocido como logaritmo en base e, es la función inversa de la función exponencial natural., ln(Number)

Variables utilizadas

Potencial incorporado - (Medido en Voltio) - El potencial incorporado es el potencial dentro del MOSFET.
Voltaje térmico - (Medido en Voltio) - El voltaje térmico es el voltaje producido dentro de la unión pn.
Concentración de aceptor - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de aceptor es la concentración de huecos en el estado de aceptor.
Concentración de donantes - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración del donante es la concentración de electrones en el estado donante.
Concentración intrínseca de electrones - La concentración intrínseca de electrones se define como el número de electrones en la banda de conducción o el número de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Voltaje térmico: 0.55 Voltio --> 0.55 Voltio No se requiere conversión
Concentración de aceptor: 1100 1 por metro cúbico --> 1100 1 por metro cúbico No se requiere conversión
Concentración de donantes: 190000000000000 1 por metro cúbico --> 190000000000000 1 por metro cúbico No se requiere conversión
Concentración intrínseca de electrones: 17 --> No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

ψ_o = V_t*ln((N_a*N_d)/(n_i^2)) --> 0.55*ln((1100*190000000000000)/(17^2))

Evaluar ... ...

ψ_o = 18.8180761773197

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

18.8180761773197 Voltio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

18.8180761773197 ≈ 18.81808 Voltio <-- Potencial incorporado

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

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Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

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Potencial incorporado

LaTeX Vamos Potencial incorporado = Voltaje térmico*ln((Concentración de aceptor*Concentración de donantes)/(Concentración intrínseca de electrones^2))

Capacitancia Onpath

LaTeX Vamos Trayectoria de capacitancia = Capacitancia total en etapa-Capacitancia fuera de ruta

Cambio en el reloj de frecuencia

LaTeX Vamos Cambio en la frecuencia del reloj = Ganancia VCO*Voltaje de control VCO

Corriente estática

LaTeX Vamos Corriente estática = Energía estática/Voltaje base del colector

Potencial incorporado Fórmula

LaTeX Vamos

Potencial incorporado = Voltaje térmico*ln((Concentración de aceptor*Concentración de donantes)/(Concentración intrínseca de electrones^2))
ψ_o = V_t*ln((N_a*N_d)/(n_i^2))

¿Con qué principio funciona el modelo de capacitancia de difusión MOS?

Un transistor MOS puede verse como un dispositivo de cuatro terminales con capacitancias entre cada par de terminales. La capacitancia de la puerta incluye un componente intrínseco (al cuerpo, fuente y drenaje, o fuente sola, según el régimen operativo) y términos superpuestos con la fuente y el drenaje. La fuente y el drenaje tienen una capacidad de difusión parásita al cuerpo.

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