Calculadora A a Z
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✖
La concentración de dopaje del aceptor se refiere a la concentración de átomos aceptores agregados intencionalmente a un material semiconductor.
ⓘ
Concentración de dopaje del aceptor [N
A
]
Electrones por centímetro cúbico
Electrones por metro cúbico
+10%
-10%
✖
El potencial de Fermi en masa es un parámetro que describe el potencial electrostático en la masa (interior) de un material semiconductor.
ⓘ
Potencial de Fermi a granel [Φ
f
]
Kilovoltio
Megavoltio
Microvoltio
milivoltio
nanovoltios
Voltaje de Planck
Voltio
+10%
-10%
✖
El voltaje incorporado es un voltaje característico que existe en un dispositivo semiconductor.
ⓘ
Potencial incorporado en la región de agotamiento [Φ
B0
]
Kilovoltio
Megavoltio
Microvoltio
milivoltio
nanovoltios
Voltaje de Planck
Voltio
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Fórmula
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Potencial incorporado en la región de agotamiento
Fórmula
Φ
B0
=
-
(
2
⋅
[Charge-e]
⋅
[Permitivity-silicon]
⋅
N
A
⋅
mod
u
̲
s
(
-
2
⋅
Φ
f
)
)
Ejemplo
-1.6E-6 V
=
-
(
2
⋅
[Charge-e]
⋅
[Permitivity-silicon]
⋅
1.32 electrons/cm³
⋅
mod
u
̲
s
(
-
2
⋅
0.25 V
)
)
Calculadora
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Descargar MOSFET Fórmula PDF
Potencial incorporado en la región de agotamiento Solución
PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Voltaje incorporado
= -(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Concentración de dopaje del aceptor
*
modulus
(-2*
Potencial de Fermi a granel
)))
Φ
B0
= -(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
N
A
*
modulus
(-2*
Φ
f
)))
Esta fórmula usa
2
Constantes
,
2
Funciones
,
3
Variables
Constantes utilizadas
[Permitivity-silicon]
- Permitividad del silicio Valor tomado como 11.7
[Charge-e]
- carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19
Funciones utilizadas
sqrt
- Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)
modulus
- El módulo de un número es el resto cuando ese número se divide por otro número., modulus
Variables utilizadas
Voltaje incorporado
-
(Medido en Voltio)
- El voltaje incorporado es un voltaje característico que existe en un dispositivo semiconductor.
Concentración de dopaje del aceptor
-
(Medido en Electrones por metro cúbico)
- La concentración de dopaje del aceptor se refiere a la concentración de átomos aceptores agregados intencionalmente a un material semiconductor.
Potencial de Fermi a granel
-
(Medido en Voltio)
- El potencial de Fermi en masa es un parámetro que describe el potencial electrostático en la masa (interior) de un material semiconductor.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Concentración de dopaje del aceptor:
1.32 Electrones por centímetro cúbico --> 1320000 Electrones por metro cúbico
(Verifique la conversión
aquí
)
Potencial de Fermi a granel:
0.25 Voltio --> 0.25 Voltio No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Φ
B0
= -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N
A
*modulus(-2*Φ
f
))) -->
-(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*1320000*
modulus
(-2*0.25)))
Evaluar ... ...
Φ
B0
= -1.57302306783086E-06
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
-1.57302306783086E-06 Voltio --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
-1.57302306783086E-06
≈
-1.6E-6 Voltio
<--
Voltaje incorporado
(Cálculo completado en 00.004 segundos)
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Potencial incorporado en la región de agotamiento
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Creado por
banuprakash
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Bangalore
¡banuprakash ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!
Verificada por
Dipanjona Mallick
Instituto Tecnológico del Patrimonio
(hitk)
,
Calcuta
¡Dipanjona Mallick ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!
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Transistor MOS Calculadoras
Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral
Vamos
Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral
= -(2*
sqrt
(
Potencial incorporado de uniones de paredes laterales
)/(
Voltaje final
-
Voltaje inicial
)*(
sqrt
(
Potencial incorporado de uniones de paredes laterales
-
Voltaje final
)-
sqrt
(
Potencial incorporado de uniones de paredes laterales
-
Voltaje inicial
)))
Potencial de Fermi para el tipo P
Vamos
Potencial de Fermi para el tipo P
= (
[BoltZ]
*
Temperatura absoluta
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Concentración de portador intrínseco
/
Concentración de dopaje del aceptor
)
Capacitancia equivalente de unión de señal grande
Vamos
Capacitancia equivalente de unión de señal grande
=
Perímetro de la pared lateral
*
Capacitancia de unión de pared lateral
*
Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral
Capacitancia de unión de pared lateral de polarización cero por unidad de longitud
Vamos
Capacitancia de unión de pared lateral
=
Potencial de unión de pared lateral de polarización cero
*
Profundidad de la pared lateral
Ver más >>
Potencial incorporado en la región de agotamiento Fórmula
Voltaje incorporado
= -(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Concentración de dopaje del aceptor
*
modulus
(-2*
Potencial de Fermi a granel
)))
Φ
B0
= -(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
N
A
*
modulus
(-2*
Φ
f
)))
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