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Calculadora Voltaje de ruptura del emisor colector

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✖El voltaje de ruptura de la base del colector es el voltaje máximo entre los terminales del colector y la base de un transistor de unión bipolar sin causar una ruptura en el transistor.ⓘ Voltaje de ruptura de la base del colector [V_cb]			+10% -10%
✖La ganancia actual de BJT se utiliza para describir las propiedades de amplificación del transistor. Indica cuánto se amplifica la corriente del colector con respecto a la corriente de base.ⓘ Ganancia actual de BJT [i_g]			+10% -10%
✖El número raíz representa una constante o un factor asociado con el transistor.ⓘ Número raíz [n]			+10% -10%

✖El voltaje de ruptura del emisor del colector es el voltaje entre los terminales del colector y del emisor de un transistor de unión bipolar sin causar una ruptura en el transistor.ⓘ Voltaje de ruptura del emisor colector [V_ce]

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Voltaje de ruptura del emisor colector Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Voltaje de ruptura del emisor del colector = Voltaje de ruptura de la base del colector/(Ganancia actual de BJT)^(1/Número raíz)
V_ce = V_cb/(i_g)^(1/n)
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Voltaje de ruptura del emisor del colector - (Medido en Voltio) - El voltaje de ruptura del emisor del colector es el voltaje entre los terminales del colector y del emisor de un transistor de unión bipolar sin causar una ruptura en el transistor.
Voltaje de ruptura de la base del colector - (Medido en Voltio) - El voltaje de ruptura de la base del colector es el voltaje máximo entre los terminales del colector y la base de un transistor de unión bipolar sin causar una ruptura en el transistor.
Ganancia actual de BJT - (Medido en Voltio) - La ganancia actual de BJT se utiliza para describir las propiedades de amplificación del transistor. Indica cuánto se amplifica la corriente del colector con respecto a la corriente de base.
Número raíz - El número raíz representa una constante o un factor asociado con el transistor.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Voltaje de ruptura de la base del colector: 3.52 Voltio --> 3.52 Voltio No se requiere conversión
Ganancia actual de BJT: 2.8 Voltio --> 2.8 Voltio No se requiere conversión
Número raíz: 2 --> No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

V_ce = V_cb/(i_g)^(1/n) --> 3.52/(2.8)^(1/2)

Evaluar ... ...

V_ce = 2.10360235242853

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

2.10360235242853 Voltio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

2.10360235242853 ≈ 2.103602 Voltio <-- Voltaje de ruptura del emisor del colector

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Raúl Gupta

Universidad de Chandigarh (CU), Mohali, Punyab

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Verificada por parminder singh

Universidad de Chandigarh (CU), Punjab

¡parminder singh ha verificado esta calculadora y 500+ más calculadoras!

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Conductividad de tipo N

LaTeX Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de equilibrio de tipo N+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio de tipo N))

Conductividad óhmica de la impureza

LaTeX Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de electrones+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de agujeros)

Impureza con concentración intrínseca

LaTeX Vamos Concentración intrínseca = sqrt((Concentración de electrones*Concentración de agujeros)/Impureza de temperatura)

Voltaje de ruptura del emisor colector

LaTeX Vamos Voltaje de ruptura del emisor del colector = Voltaje de ruptura de la base del colector/(Ganancia actual de BJT)^(1/Número raíz)

Voltaje de ruptura del emisor colector Fórmula

LaTeX Vamos

Voltaje de ruptura del emisor del colector = Voltaje de ruptura de la base del colector/(Ganancia actual de BJT)^(1/Número raíz)
V_ce = V_cb/(i_g)^(1/n)

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