Calculadora Efecto corporal en NMOS

✖El voltaje de umbral, también conocido como voltaje de umbral de puerta o simplemente Vth, es un parámetro crítico en el funcionamiento de los transistores de efecto de campo, que son componentes fundamentales en la electrónica moderna.ⓘ Voltaje de umbral [V_T]			+10% -10%
✖El parámetro del proceso de fabricación es el proceso que comienza con la oxidación del sustrato de silicio en el que se deposita una capa de óxido relativamente gruesa en la superficie.ⓘ Parámetro del proceso de fabricación [γ]			+10% -10%
✖Los parámetros físicos se pueden utilizar para describir el estado o condición de un sistema físico, o para caracterizar la forma en que el sistema responde a varios estímulos o entradas.ⓘ Parámetro físico [φ_f]			+10% -10%
✖El voltaje entre el cuerpo y la fuente es importante porque puede afectar el funcionamiento seguro de los dispositivos electrónicos.ⓘ Voltaje entre el cuerpo y la fuente [V_SB]			+10% -10%

✖El cambio en el voltaje de umbral puede deberse a varios factores, incluidos los cambios de temperatura, la exposición a la radiación y el envejecimiento.ⓘ Efecto corporal en NMOS [ΔV_th]

⎘ Copiar

👎

Fórmula

LaTeX

Reiniciar

👍

Descargar MOSFET Fórmula PDF PDF Image

Efecto corporal en NMOS Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Cambio en el voltaje de umbral = Voltaje de umbral+Parámetro del proceso de fabricación*(sqrt(2*Parámetro físico+Voltaje entre el cuerpo y la fuente)-sqrt(2*Parámetro físico))
ΔV_th = V_T+γ*(sqrt(2*φ_f+V_SB)-sqrt(2*φ_f))
Esta fórmula usa 1 Funciones, 5 Variables

Funciones utilizadas

sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)

Variables utilizadas

Cambio en el voltaje de umbral - (Medido en Voltio) - El cambio en el voltaje de umbral puede deberse a varios factores, incluidos los cambios de temperatura, la exposición a la radiación y el envejecimiento.
Voltaje de umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje de umbral, también conocido como voltaje de umbral de puerta o simplemente Vth, es un parámetro crítico en el funcionamiento de los transistores de efecto de campo, que son componentes fundamentales en la electrónica moderna.
Parámetro del proceso de fabricación - El parámetro del proceso de fabricación es el proceso que comienza con la oxidación del sustrato de silicio en el que se deposita una capa de óxido relativamente gruesa en la superficie.
Parámetro físico - (Medido en Voltio) - Los parámetros físicos se pueden utilizar para describir el estado o condición de un sistema físico, o para caracterizar la forma en que el sistema responde a varios estímulos o entradas.
Voltaje entre el cuerpo y la fuente - (Medido en Voltio) - El voltaje entre el cuerpo y la fuente es importante porque puede afectar el funcionamiento seguro de los dispositivos electrónicos.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Voltaje de umbral: 1.82 Voltio --> 1.82 Voltio No se requiere conversión
Parámetro del proceso de fabricación: 204 --> No se requiere conversión
Parámetro físico: 13 Voltio --> 13 Voltio No se requiere conversión
Voltaje entre el cuerpo y la fuente: 1.8 Voltio --> 1.8 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

ΔV_th = V_T+γ*(sqrt(2*φ_f+V_SB)-sqrt(2*φ_f)) --> 1.82+204*(sqrt(2*13+1.8)-sqrt(2*13))

Evaluar ... ...

ΔV_th = 37.2244074665399

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

37.2244074665399 Voltio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

37.2244074665399 ≈ 37.22441 Voltio <-- Cambio en el voltaje de umbral

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Aquí estás -

Inicio » Ingenieria » Electrónica » MOSFET » Electrónica analógica » Mejora del canal N » Efecto corporal en NMOS

Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< Mejora del canal N Calculadoras

Fuente de drenaje de entrada actual en la región triodo de NMOS

LaTeX Vamos Drenar corriente en NMOS = Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*((Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral)*Voltaje de la fuente de drenaje-1/2*(Voltaje de la fuente de drenaje)^2)

Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta

NMOS como resistencia lineal

LaTeX Vamos Resistencia lineal = Longitud del Canal/(Movilidad de los electrones en la superficie del canal*Capacitancia de óxido*Ancho de canal*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral))

Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS

LaTeX Vamos Velocidad de deriva de electrones = Movilidad de los electrones en la superficie del canal*Campo eléctrico a lo largo del canal

Efecto corporal en NMOS Fórmula

LaTeX Vamos

¿Cuál es la causa del efecto corporal en NMOS? ¿Qué es el sesgo corporal?

El efecto de cuerpo se debe a que la diferencia de voltaje entre la fuente y el cuerpo afecta al VT, el cuerpo puede considerarse como una segunda puerta que ayuda a determinar cómo se enciende y apaga el transistor. La polarización del cuerpo implica conectar los cuerpos de los transistores a una red de polarización en el diseño del circuito en lugar de a la alimentación o la tierra. La polarización del cuerpo se puede suministrar desde una fuente externa (fuera del chip) o desde una fuente interna (en el chip).

Inicio

GRATIS PDF

🔍 Búsqueda

Categorías

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!