Efecto corporal en MOSFET Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Voltaje umbral con sustrato = Voltaje umbral con polarización corporal cero+Parámetro de efecto corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi a granel+Voltaje aplicado al cuerpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi a granel))
Vt = Vth+γ*(sqrt(2*Φf+Vbs)-sqrt(2*Φf))
Esta fórmula usa 1 Funciones, 5 Variables
Funciones utilizadas
sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)
Variables utilizadas
Voltaje umbral con sustrato - (Medido en Voltio) - El voltaje umbral con sustrato es un parámetro crucial que define el punto en el que el transistor comienza a conducir corriente desde la fuente hasta el drenaje.
Voltaje umbral con polarización corporal cero - (Medido en Voltio) - El voltaje umbral con polarización corporal cero se refiere al voltaje umbral cuando no se aplica ninguna polarización externa al sustrato semiconductor (terminal del cuerpo).
Parámetro de efecto corporal - El parámetro de efecto corporal es un parámetro que caracteriza la sensibilidad del voltaje umbral de MOSFET.
Potencial de Fermi a granel - (Medido en Voltio) - El potencial de Fermi en masa es un parámetro que describe el potencial electrostático en la masa (interior) de un material semiconductor.
Voltaje aplicado al cuerpo - (Medido en Voltio) - El voltaje aplicado al cuerpo es el voltaje aplicado al terminal del cuerpo. Este voltaje puede tener un impacto significativo en el comportamiento y rendimiento del MOSFET.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Voltaje umbral con polarización corporal cero: 3.4 Voltio --> 3.4 Voltio No se requiere conversión
Parámetro de efecto corporal: 0.56 --> No se requiere conversión
Potencial de Fermi a granel: 0.25 Voltio --> 0.25 Voltio No se requiere conversión
Voltaje aplicado al cuerpo: 2.43 Voltio --> 2.43 Voltio No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Vt = Vth+γ*(sqrt(2*Φf+Vbs)-sqrt(2*Φf)) --> 3.4+0.56*(sqrt(2*0.25+2.43)-sqrt(2*0.25))
Evaluar ... ...
Vt = 3.96258579757846
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
3.96258579757846 Voltio --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
3.96258579757846 3.962586 Voltio <-- Voltaje umbral con sustrato
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

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Creado por banuprakash
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
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Verificada por Santhosh Yadav
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore
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Fabricación de circuitos integrados MOS Calculadoras

Efecto corporal en MOSFET
​ LaTeX ​ Vamos Voltaje umbral con sustrato = Voltaje umbral con polarización corporal cero+Parámetro de efecto corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi a granel+Voltaje aplicado al cuerpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi a granel))
Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación
​ LaTeX ​ Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia/2*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje umbral con polarización corporal cero)^2*(1+Factor de modulación de longitud del canal*Voltaje de la fuente de drenaje)
Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET
​ LaTeX ​ Vamos Frecuencia de ganancia unitaria en MOSFET = Transconductancia en MOSFET/(Capacitancia de la fuente de puerta+Capacitancia de drenaje de compuerta)
Resistencia del canal
​ LaTeX ​ Vamos Resistencia del canal = Longitud del transistor/Ancho del transistor*1/(Movilidad electrónica*Densidad del portador)

Efecto corporal en MOSFET Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Voltaje umbral con sustrato = Voltaje umbral con polarización corporal cero+Parámetro de efecto corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi a granel+Voltaje aplicado al cuerpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi a granel))
Vt = Vth+γ*(sqrt(2*Φf+Vbs)-sqrt(2*Φf))
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