Calculadora Parámetro de efecto de puerta trasera en PMOS

✖La concentración de donantes es física de semiconductores y se refiere al número de átomos de impurezas donantes por unidad de volumen de un material semiconductor.ⓘ Concentración de donantes [N_d]			+10% -10%
✖La capacitancia de óxido es un parámetro importante que afecta el rendimiento de los dispositivos MOS, como la velocidad y el consumo de energía de los circuitos integrados.ⓘ Capacitancia de óxido [C_ox]			+10% -10%

✖El parámetro del efecto de puerta trasera se refiere a un fenómeno que ocurre en los transistores de efecto de campo, que son dispositivos electrónicos utilizados para amplificación, conmutación y otros fines.ⓘ Parámetro de efecto de puerta trasera en PMOS [γ_p]

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Parámetro de efecto de puerta trasera en PMOS Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Parámetro de efecto de puerta trasera = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentración de donantes)/Capacitancia de óxido
γ_p = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*N_d)/C_ox
Esta fórmula usa 2 Constantes, 1 Funciones, 3 Variables

Constantes utilizadas

[Permitivity-vacuum] - Permitividad del vacío Valor tomado como 8.85E-12
[Charge-e] - carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19

Funciones utilizadas

sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)

Variables utilizadas

Parámetro de efecto de puerta trasera - El parámetro del efecto de puerta trasera se refiere a un fenómeno que ocurre en los transistores de efecto de campo, que son dispositivos electrónicos utilizados para amplificación, conmutación y otros fines.
Concentración de donantes - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de donantes es física de semiconductores y se refiere al número de átomos de impurezas donantes por unidad de volumen de un material semiconductor.
Capacitancia de óxido - (Medido en Faradio) - La capacitancia de óxido es un parámetro importante que afecta el rendimiento de los dispositivos MOS, como la velocidad y el consumo de energía de los circuitos integrados.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Concentración de donantes: 1.9E+20 1 por metro cúbico --> 1.9E+20 1 por metro cúbico No se requiere conversión
Capacitancia de óxido: 0.0008 Faradio --> 0.0008 Faradio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

γ_p = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*N_d)/C_ox --> sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*1.9E+20)/0.0008

Evaluar ... ...

γ_p = 0.0290154053183929

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.0290154053183929 --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

0.0290154053183929 ≈ 0.029015 <-- Parámetro de efecto de puerta trasera

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Aman Dhussawat

INSTITUTO TECNOLÓGICO GURU TEGH BAHADUR (GTBIT), NUEVA DELHI

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Verificada por parminder singh

Universidad de Chandigarh (CU), Punjab

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Corriente de drenaje en la región triodo del transistor PMOS

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Parámetro de efecto de puerta trasera en PMOS Fórmula

LaTeX Vamos

Parámetro de efecto de puerta trasera = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentración de donantes)/Capacitancia de óxido
γ_p = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*N_d)/C_ox

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