Calculadora Área de memoria que contiene N bits

✖El área de la celda de memoria de un bit se define como la celda de memoria, que es un circuito electrónico que almacena un bit de información binaria. Debe configurarse para almacenar un 1 lógico y restablecerse para almacenar un 0 lógico.ⓘ Área de la celda de memoria de un bit [A_bit]			+10% -10%
✖La frecuencia absoluta es el número de apariciones de un punto de datos particular en un conjunto de datos. Representa el recuento real de cuántas veces aparece un valor específico en los datos.ⓘ Frecuencia absoluta [f_abs]			+10% -10%
✖La eficiencia de la matriz se define como el tamaño de la celda de bits dividido por el ACPB. Para normalizar esta métrica, independientemente del nodo tecnológico.ⓘ Eficiencia de la matriz [E]			+10% -10%

✖El área de la celda de memoria se define como el área total ocupada por el número N de bits de memoria.ⓘ Área de memoria que contiene N bits [A]

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Área de memoria que contiene N bits Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Área de la celda de memoria = (Área de la celda de memoria de un bit*Frecuencia absoluta)/Eficiencia de la matriz
A = (A_bit*f_abs)/E
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Área de la celda de memoria - (Medido en Metro cuadrado) - El área de la celda de memoria se define como el área total ocupada por el número N de bits de memoria.
Área de la celda de memoria de un bit - (Medido en Metro cuadrado) - El área de la celda de memoria de un bit se define como la celda de memoria, que es un circuito electrónico que almacena un bit de información binaria. Debe configurarse para almacenar un 1 lógico y restablecerse para almacenar un 0 lógico.
Frecuencia absoluta - (Medido en hercios) - La frecuencia absoluta es el número de apariciones de un punto de datos particular en un conjunto de datos. Representa el recuento real de cuántas veces aparece un valor específico en los datos.
Eficiencia de la matriz - La eficiencia de la matriz se define como el tamaño de la celda de bits dividido por el ACPB. Para normalizar esta métrica, independientemente del nodo tecnológico.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Área de la celda de memoria de un bit: 47.72 Milímetro cuadrado --> 4.772E-05 Metro cuadrado (Verifique la conversión aquí)
Frecuencia absoluta: 10 hercios --> 10 hercios No se requiere conversión
Eficiencia de la matriz: 0.88 --> No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

A = (A_bit*f_abs)/E --> (4.772E-05*10)/0.88

Evaluar ... ...

A = 0.000542272727272727

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.000542272727272727 Metro cuadrado -->542.272727272727 Milímetro cuadrado (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

542.272727272727 ≈ 542.2727 Milímetro cuadrado <-- Área de la celda de memoria

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

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Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

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Retraso 'XOR'

LaTeX Vamos Retraso XOR = Tiempo de ondulación-(Retardo de propagación+(Puertas en el camino crítico-1)*Retardo de puerta Y-O)

Retardo de la ruta crítica del sumador de acarreo y ondulación

LaTeX Vamos Tiempo de ondulación = Retardo de propagación+(Puertas en el camino crítico-1)*Retardo de puerta Y-O+Retraso XOR

Capacitancia de tierra

LaTeX Vamos Capacitancia de tierra = ((Voltaje agresor*Capacitancia adyacente)/Voltaje de la víctima)-Capacitancia adyacente

Sumador de acarreo y salto de N bits

LaTeX Vamos Sumador de salto de acarreo de N bits = N-entrada y puerta*Entrada K y puerta

Área de memoria que contiene N bits Fórmula

LaTeX Vamos

Área de la celda de memoria = (Área de la celda de memoria de un bit*Frecuencia absoluta)/Eficiencia de la matriz
A = (A_bit*f_abs)/E

¿Cuál es el significado de ras y cas en SDRAM?

La SDRAM recibe su comando de dirección en dos palabras de dirección y utiliza un esquema multiplex para guardar los pines de entrada. La primera palabra de dirección está enganchada en el chip DRAM con la luz estroboscópica de dirección de fila (RAS). Después del comando RAS está la luz estroboscópica de dirección de columna (CAS) para enganchar la segunda palabra de dirección. Poco después de las luces estroboscópicas RAS y CAS, los datos almacenados son valido para lectura.

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