MCD de tres números

Calculadora Concentración de dopante aceptor

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✖La longitud del transistor se refiere a la longitud de la región del canal en un MOSFET. Esta dimensión juega un papel crucial en la determinación de las características eléctricas y el rendimiento del transistor.ⓘ Longitud del transistor [L_t]			+10% -10%
✖El ancho del transistor se refiere al ancho de la región del canal en un MOSFET. Esta dimensión juega un papel crucial en la determinación de las características eléctricas y el rendimiento del transistor.ⓘ Ancho del transistor [W_t]			+10% -10%
✖La movilidad de los agujeros representa la capacidad de estos portadores de carga para moverse en respuesta a un campo eléctrico.ⓘ Movilidad del agujero [μ_p]			+10% -10%
✖La capacitancia de la capa de agotamiento por unidad de área es la capacitancia de la capa de agotamiento por unidad de área.ⓘ Capacitancia de la capa de agotamiento [C_dep]			+10% -10%

✖La concentración de dopante aceptor es la movilidad de los portadores de carga (agujeros en este caso) y las dimensiones del dispositivo semiconductor.ⓘ Concentración de dopante aceptor [N_a]

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Concentración de dopante aceptor Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Concentración de dopante aceptor = 1/(2*pi*Longitud del transistor*Ancho del transistor*[Charge-e]*Movilidad del agujero*Capacitancia de la capa de agotamiento)
N_a = 1/(2*pi*L_t*W_t*[Charge-e]*μ_p*C_dep)
Esta fórmula usa 2 Constantes, 5 Variables

Constantes utilizadas

[Charge-e] - carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19
pi - La constante de Arquímedes. Valor tomado como 3.14159265358979323846264338327950288

Variables utilizadas

Concentración de dopante aceptor - (Medido en Electrones por metro cúbico) - La concentración de dopante aceptor es la movilidad de los portadores de carga (agujeros en este caso) y las dimensiones del dispositivo semiconductor.
Longitud del transistor - (Medido en Metro) - La longitud del transistor se refiere a la longitud de la región del canal en un MOSFET. Esta dimensión juega un papel crucial en la determinación de las características eléctricas y el rendimiento del transistor.
Ancho del transistor - (Medido en Metro) - El ancho del transistor se refiere al ancho de la región del canal en un MOSFET. Esta dimensión juega un papel crucial en la determinación de las características eléctricas y el rendimiento del transistor.
Movilidad del agujero - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad de los agujeros representa la capacidad de estos portadores de carga para moverse en respuesta a un campo eléctrico.
Capacitancia de la capa de agotamiento - (Medido en Faradio) - La capacitancia de la capa de agotamiento por unidad de área es la capacitancia de la capa de agotamiento por unidad de área.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Longitud del transistor: 3.2 Micrómetro --> 3.2E-06 Metro (Verifique la conversión aquí)
Ancho del transistor: 5.5 Micrómetro --> 5.5E-06 Metro (Verifique la conversión aquí)
Movilidad del agujero: 400 Metro cuadrado por voltio por segundo --> 400 Metro cuadrado por voltio por segundo No se requiere conversión
Capacitancia de la capa de agotamiento: 1.4 Microfaradio --> 1.4E-06 Faradio (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

N_a = 1/(2*pi*L_t*W_t*[Charge-e]*μ_p*C_dep) --> 1/(2*pi*3.2E-06*5.5E-06*[Charge-e]*400*1.4E-06)

Evaluar ... ...

N_a = 1.00788050957133E+32

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

1.00788050957133E+32 Electrones por metro cúbico --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

1.00788050957133E+32 ≈ 1E+32 Electrones por metro cúbico <-- Concentración de dopante aceptor

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

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Créditos

Creado por banuprakash

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Verificada por Santhosh Yadav

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore

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