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Calculadora Concentración de aceptor después de VLSI de escala completa

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Optimización de materiales VLSI Diseño VLSI analógico

✖La concentración del aceptor se refiere a la concentración de átomos dopantes aceptores en un material semiconductor.ⓘ Concentración de aceptor [N_A]			+10% -10%
✖El factor de escala se define como la relación por la cual las dimensiones del transistor cambian durante el proceso de diseño.ⓘ Factor de escala [Sf]			+10% -10%

✖La concentración del aceptor después del escalado completo se define como el número de átomos aceptores dopados en el material semiconductor después del escalado completo del dispositivo semiconductor.ⓘ Concentración de aceptor después de VLSI de escala completa [N_A']

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Concentración de aceptor después de VLSI de escala completa Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Concentración del aceptor después del escalado completo = Concentración de aceptor*Factor de escala
N_A' = N_A*Sf
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Concentración del aceptor después del escalado completo - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración del aceptor después del escalado completo se define como el número de átomos aceptores dopados en el material semiconductor después del escalado completo del dispositivo semiconductor.
Concentración de aceptor - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración del aceptor se refiere a la concentración de átomos dopantes aceptores en un material semiconductor.
Factor de escala - El factor de escala se define como la relación por la cual las dimensiones del transistor cambian durante el proceso de diseño.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Concentración de aceptor: 1E+16 1 por centímetro cúbico --> 1E+22 1 por metro cúbico (Verifique la conversión aquí)
Factor de escala: 1.5 --> No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

N_A' = N_A*Sf --> 1E+22*1.5

Evaluar ... ...

N_A' = 1.5E+22

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

1.5E+22 1 por metro cúbico -->1.5E+16 1 por centímetro cúbico (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

1.5E+16 1 por centímetro cúbico <-- Concentración del aceptor después del escalado completo

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

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Créditos

Creado por Priyanka Patel

Facultad de ingeniería Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad

¡Priyanka Patel ha creado esta calculadora y 25+ más calculadoras!

Verificada por Santhosh Yadav

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore

¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

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Coeficiente de efecto corporal

LaTeX Vamos Coeficiente de efecto corporal = modulus((Voltaje umbral-Tensión umbral DIBL)/(sqrt(Potencial de superficie+(Diferencia de potencial del cuerpo fuente))-sqrt(Potencial de superficie)))

Coeficiente DIBL

LaTeX Vamos Coeficiente DIBL = (Tensión umbral DIBL-Voltaje umbral)/Drenar a la fuente potencial

Carga de canal

LaTeX Vamos Cargo del canal = Capacitancia de puerta*(Voltaje de puerta a canal-Voltaje umbral)

Voltaje crítico

LaTeX Vamos Voltaje crítico = Campo eléctrico crítico*Campo eléctrico a lo largo del canal

Concentración de aceptor después de VLSI de escala completa Fórmula

LaTeX Vamos

Concentración del aceptor después del escalado completo = Concentración de aceptor*Factor de escala
N_A' = N_A*Sf

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