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Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung pro Längeneinheit Taschenrechner
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Das Zero Bias Sidewall Junction Potential ist das eingebaute Potential im Seitenwandübergang bestimmter Transistorstrukturen.
ⓘ
Null-Bias-Seitenwandübergangspotential [C
j0sw
]
Farad
Femtofarad
Kilofarad
Mikrofarad
Millifarad
Nanofarad
Pikofarad
+10%
-10%
✖
Die Tiefe der Seitenwand bezieht sich auf den Abstand von der Oberfläche einer Struktur oder eines Materials zu einem bestimmten Punkt innerhalb der Seitenwand.
ⓘ
Tiefe der Seitenwand [x
j
]
Angström
Astronomische Einheit
Zentimeter
Dezimeter
Erdäquatorialradius
Fermi
Versfuß
Inch
Kilometer
Lichtjahr
Meter
Mikrozoll
Mikrometer
Mikron
Meile
Millimeter
Nanometer
Picometer
Yard
+10%
-10%
✖
Unter Seitenwandübergangskapazität versteht man die Kapazität, die mit der Seitenwand eines Halbleiterübergangs verbunden ist.
ⓘ
Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung pro Längeneinheit [C
jsw
]
Farad
Femtofarad
Kilofarad
Mikrofarad
Millifarad
Nanofarad
Pikofarad
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Schritte
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Formel
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Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung pro Längeneinheit Lösung
SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Seitenwandübergangskapazität
=
Null-Bias-Seitenwandübergangspotential
*
Tiefe der Seitenwand
C
jsw
=
C
j0sw
*
x
j
Diese formel verwendet
3
Variablen
Verwendete Variablen
Seitenwandübergangskapazität
-
(Gemessen in Farad)
- Unter Seitenwandübergangskapazität versteht man die Kapazität, die mit der Seitenwand eines Halbleiterübergangs verbunden ist.
Null-Bias-Seitenwandübergangspotential
-
(Gemessen in Farad)
- Das Zero Bias Sidewall Junction Potential ist das eingebaute Potential im Seitenwandübergang bestimmter Transistorstrukturen.
Tiefe der Seitenwand
-
(Gemessen in Meter)
- Die Tiefe der Seitenwand bezieht sich auf den Abstand von der Oberfläche einer Struktur oder eines Materials zu einem bestimmten Punkt innerhalb der Seitenwand.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Null-Bias-Seitenwandübergangspotential:
4.6E-10 Farad --> 4.6E-10 Farad Keine Konvertierung erforderlich
Tiefe der Seitenwand:
6.32 Mikrometer --> 6.32E-06 Meter
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
C
jsw
= C
j0sw
*x
j
-->
4.6E-10*6.32E-06
Auswerten ... ...
C
jsw
= 2.9072E-15
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
2.9072E-15 Farad --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
2.9072E-15
≈
2.9E-15 Farad
<--
Seitenwandübergangskapazität
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)
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Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung pro Längeneinheit
Credits
Erstellt von
Banuprakash
Dayananda Sagar College of Engineering
(DSCE)
,
Bangalore
Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von
Dipanjona Mallick
Heritage Institute of Technology
(HITK)
,
Kalkutta
Dipanjona Mallick hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!
<
MOS-Transistor Taschenrechner
Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung
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Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung
= -(2*
sqrt
(
Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen
)/(
Endspannung
-
Anfangsspannung
)*(
sqrt
(
Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen
-
Endspannung
)-
sqrt
(
Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen
-
Anfangsspannung
)))
Fermipotential für P-Typ
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Fermipotential für P-Typ
= (
[BoltZ]
*
Absolute Temperatur
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Intrinsische Trägerkonzentration
/
Dopingkonzentration des Akzeptors
)
Äquivalente Großsignal-Verbindungskapazität
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Äquivalente Großsignal-Verbindungskapazität
=
Umfang der Seitenwand
*
Seitenwandübergangskapazität
*
Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung
Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung pro Längeneinheit
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Seitenwandübergangskapazität
=
Null-Bias-Seitenwandübergangspotential
*
Tiefe der Seitenwand
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Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung pro Längeneinheit Formel
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Seitenwandübergangskapazität
=
Null-Bias-Seitenwandübergangspotential
*
Tiefe der Seitenwand
C
jsw
=
C
j0sw
*
x
j
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