Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung Taschenrechner

✖Die Seitenwand-Dotierungsdichte bezieht sich auf die Konzentration von Dotierstoffatomen entlang der Seitenwände der Transistorstruktur.ⓘ Seitenwand-Dotierungsdichte [N_A(sw)]			+10% -10%
✖Die Dotierungskonzentration des Donors bezieht sich auf die Konzentration der Donoratome, die einem Halbleitermaterial absichtlich hinzugefügt werden.ⓘ Dopingkonzentration des Spenders [N_D]			+10% -10%
✖Das eingebaute Potenzial von Seitenwandübergängen bezieht sich auf den Übergang, der entlang der vertikalen oder Seitenwandoberflächen der Transistorstruktur gebildet wird.ⓘ Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen [Φ_osw]			+10% -10%

✖Das Zero Bias Sidewall Junction Potential ist das eingebaute Potential im Seitenwandübergang bestimmter Transistorstrukturen.ⓘ Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung [C_j0sw]

⎘ Kopie

👎

Formel

LaTeX

Rücksetzen

👍

Herunterladen MOSFET-Verstärker Formeln Pdf PDF Image

Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Null-Bias-Seitenwandübergangspotential = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((Seitenwand-Dotierungsdichte*Dopingkonzentration des Spenders)/(Seitenwand-Dotierungsdichte+Dopingkonzentration des Spenders))*1/Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen)
C_j0sw = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((N_A(sw)*N_D)/(N_A(sw)+N_D))*1/Φ_osw)
Diese formel verwendet 2 Konstanten, 1 Funktionen, 4 Variablen

Verwendete Konstanten

[Permitivity-silicon] - Permittivität von Silizium Wert genommen als 11.7
[Charge-e] - Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19

Verwendete Funktionen

sqrt - Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)

Verwendete Variablen

Null-Bias-Seitenwandübergangspotential - (Gemessen in Farad) - Das Zero Bias Sidewall Junction Potential ist das eingebaute Potential im Seitenwandübergang bestimmter Transistorstrukturen.
Seitenwand-Dotierungsdichte - (Gemessen in Elektronen pro Kubikmeter) - Die Seitenwand-Dotierungsdichte bezieht sich auf die Konzentration von Dotierstoffatomen entlang der Seitenwände der Transistorstruktur.
Dopingkonzentration des Spenders - (Gemessen in Elektronen pro Kubikmeter) - Die Dotierungskonzentration des Donors bezieht sich auf die Konzentration der Donoratome, die einem Halbleitermaterial absichtlich hinzugefügt werden.
Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen - (Gemessen in Volt) - Das eingebaute Potenzial von Seitenwandübergängen bezieht sich auf den Übergang, der entlang der vertikalen oder Seitenwandoberflächen der Transistorstruktur gebildet wird.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Seitenwand-Dotierungsdichte: 0.35 Elektronen pro Kubikmeter --> 0.35 Elektronen pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
Dopingkonzentration des Spenders: 3.01 Elektronen pro Kubikzentimeter --> 3010000 Elektronen pro Kubikmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen: 3.2E-05 Volt --> 3.2E-05 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

C_j0sw = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((N_A(sw)*N_D)/(N_A(sw)+N_D))*1/Φ_osw) --> sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((0.35*3010000)/(0.35+3010000))*1/3.2E-05)

Auswerten ... ...

C_j0sw = 1.01249324812588E-07

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1.01249324812588E-07 Farad --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1.01249324812588E-07 ≈ 1E-7 Farad <-- Null-Bias-Seitenwandübergangspotential

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Du bist da -

Zuhause » Maschinenbau » Elektronik » Verstärker » MOSFET-Verstärker » Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung

Credits

Erstellt von Banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Dipanjona Mallick

Heritage Institute of Technology (HITK), Kalkutta

Dipanjona Mallick hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

< MOSFET-Verstärker Taschenrechner

Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung

LaTeX Gehen Null-Bias-Seitenwandübergangspotential = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((Seitenwand-Dotierungsdichte*Dopingkonzentration des Spenders)/(Seitenwand-Dotierungsdichte+Dopingkonzentration des Spenders))*1/Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen)

Sperrschichtkapazität ohne Vorspannung

LaTeX Gehen Sperrschichtkapazität ohne Vorspannung = sqrt((Permitivität von Silizium*[Charge-e])/2*((Dopingkonzentration des Akzeptors*Dopingkonzentration des Spenders)/(Dopingkonzentration des Akzeptors+Dopingkonzentration des Spenders))*1/Eingebautes Verbindungspotential)

Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung Formel

LaTeX Gehen

Zuhause

FREI PDFs

🔍 Suche

Kategorien

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!