XOR-Spannungs-NAND-Gatter Taschenrechner

✖Die Kapazität 2 wird als das Verhältnis der elektrischen Ladung auf jedem Leiter zur Potenzialdifferenz (dh Spannung) zwischen ihnen ausgedrückt.ⓘ Kapazität 2 [C_y]			+10% -10%
✖Die Basiskollektorspannung ist ein entscheidender Parameter bei der Transistorvorspannung. Es bezieht sich auf die Spannungsdifferenz zwischen den Basis- und Kollektoranschlüssen des Transistors, wenn dieser sich in seinem aktiven Zustand befindet.ⓘ Basiskollektorspannung [V_bc]			+10% -10%
✖Die Kapazität 1 wird als das Verhältnis der elektrischen Ladung auf jedem Leiter zur Potentialdifferenz (dh Spannung) zwischen ihnen ausgedrückt.ⓘ Kapazität 1 [C_x]			+10% -10%

✖Die XOR-Spannung des NAND-Gatters ist die Spannung in x-Richtung im NAND-Gatter.ⓘ XOR-Spannungs-NAND-Gatter [V_x]

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XOR-Spannungs-NAND-Gatter Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

XOR-Spannungs-NAND-Gate = (Kapazität 2*Basiskollektorspannung)/(Kapazität 1+Kapazität 2)
V_x = (C_y*V_bc)/(C_x+C_y)
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

XOR-Spannungs-NAND-Gate - (Gemessen in Volt) - Die XOR-Spannung des NAND-Gatters ist die Spannung in x-Richtung im NAND-Gatter.
Kapazität 2 - (Gemessen in Farad) - Die Kapazität 2 wird als das Verhältnis der elektrischen Ladung auf jedem Leiter zur Potenzialdifferenz (dh Spannung) zwischen ihnen ausgedrückt.
Basiskollektorspannung - (Gemessen in Volt) - Die Basiskollektorspannung ist ein entscheidender Parameter bei der Transistorvorspannung. Es bezieht sich auf die Spannungsdifferenz zwischen den Basis- und Kollektoranschlüssen des Transistors, wenn dieser sich in seinem aktiven Zustand befindet.
Kapazität 1 - (Gemessen in Farad) - Die Kapazität 1 wird als das Verhältnis der elektrischen Ladung auf jedem Leiter zur Potentialdifferenz (dh Spannung) zwischen ihnen ausgedrückt.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Kapazität 2: 3.1 Millifarad --> 0.0031 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Basiskollektorspannung: 2.02 Volt --> 2.02 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Kapazität 1: 4 Millifarad --> 0.004 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_x = (C_y*V_bc)/(C_x+C_y) --> (0.0031*2.02)/(0.004+0.0031)

Auswerten ... ...

V_x = 0.881971830985915

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.881971830985915 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.881971830985915 ≈ 0.881972 Volt <-- XOR-Spannungs-NAND-Gate

(Berechnung in 00.021 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Anshika Arya

Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

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Rüstzeit bei niedriger Logik

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XOR-Spannungs-NAND-Gatter Formel

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XOR-Spannungs-NAND-Gate = (Kapazität 2*Basiskollektorspannung)/(Kapazität 1+Kapazität 2)
V_x = (C_y*V_bc)/(C_x+C_y)

Erläutern Sie die Folgen der Ladungsteilung.

Dynamische Gatter unterliegen Problemen mit der Ladungsteilung. Die Ladungsteilung ist am schwerwiegendsten, wenn der Ausgang leicht belastet und die interne Kapazität groß ist. Beispielsweise können dynamische NAND-Gatter mit 4 Eingängen und komplexe AOI-Gatter die Ladung zwischen mehreren Knoten teilen. Wenn das Ladungsteilungsrauschen klein ist, stellt der Verwalter schließlich die dynamische Ausgabe auf VDD wieder her. Wenn jedoch das Ladungsteilungsrauschen groß ist, kann der Ausgang kippen und den Wächter ausschalten, was zu falschen Ergebnissen führt.

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