Breite der Quellendiffusion Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Übergangsbreite = Bereich der Quellendiffusion/Länge der Quelle
W = As/Ds
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Übergangsbreite - (Gemessen in Meter) - Die Übergangsbreite ist definiert als die Zunahme der Breite, wenn die Drain-Source-Spannung zunimmt, was dazu führt, dass der Triodenbereich in den Sättigungsbereich übergeht.
Bereich der Quellendiffusion - (Gemessen in Quadratmeter) - Der Bereich der Quelldiffusion ist definiert als die Nettobewegung von allem von einem Bereich höherer Konzentration zu einem Bereich niedrigerer Konzentration im Quelltor.
Länge der Quelle - (Gemessen in Meter) - Die Länge der Quelle ist definiert als die Gesamtlänge, die am Quellenübergang des MOSFET beobachtet wird.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Bereich der Quellendiffusion: 5479 Quadratmillimeter --> 0.005479 Quadratmeter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Länge der Quelle: 61 Millimeter --> 0.061 Meter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
W = As/Ds --> 0.005479/0.061
Auswerten ... ...
W = 0.0898196721311476
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.0898196721311476 Meter -->89.8196721311476 Millimeter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
89.8196721311476 89.81967 Millimeter <-- Übergangsbreite
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

Eigenschaften der CMOS-Schaltung Taschenrechner

CMOS mittlerer freier Pfad
​ LaTeX ​ Gehen Mittlerer freier Pfad = Kritische Spannung im CMOS/Kritisches elektrisches Feld
Kritische CMOS-Spannung
​ LaTeX ​ Gehen Kritische Spannung im CMOS = Kritisches elektrisches Feld*Mittlerer freier Pfad
Bereich der Quellendiffusion
​ LaTeX ​ Gehen Bereich der Quellendiffusion = Länge der Quelle*Übergangsbreite
Breite der Quellendiffusion
​ LaTeX ​ Gehen Übergangsbreite = Bereich der Quellendiffusion/Länge der Quelle

Breite der Quellendiffusion Formel

​LaTeX ​Gehen
Übergangsbreite = Bereich der Quellendiffusion/Länge der Quelle
W = As/Ds

Was sind die Anwendungen der Quellendiffusion?

Die Quellendiffusion ist ein kritischer Prozess in der CMOS-Technologie mit zahlreichen Anwendungen. Es wird verwendet, um die Abmessungen von Transistoren zu reduzieren, die Leistung aufeinanderfolgender Schaltkreise zu verbessern und die Gesamtgeschwindigkeit der Chips zu erhöhen. Darüber hinaus erleichtert die Quellendiffusion die Integration mehrerer Transistoren auf einem einzigen Chip und ermöglicht so die Herstellung komplexer und hochdichter integrierter Schaltkreise.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!