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Die Dotierungsdichte bezieht sich auf die Konzentration von Dotierstoffatomen in einem Halbleitermaterial. Dotierstoffe sind Fremdatome, die gezielt in den Halbleiter eingebracht werden.
ⓘ
Dopingdichte [N
d
]
1 pro Kubikzentimeter
1 pro Kubikmeter
pro Liter
+10%
-10%
✖
Die Schottky-Potentialbarriere fungiert als Barriere für Elektronen und die Höhe der Barriere hängt von der Austrittsarbeitsdifferenz zwischen den beiden Materialien ab.
ⓘ
Schottky-Potenzialbarriere [V
i
]
Kilovolt
Megavolt
Mikrovolt
Millivolt
Nanovolt
Planck Spannung
Volt
+10%
-10%
✖
Die Gate-Spannung ist die Spannung, die am Gate-Source-Übergang eines JFET-Transistors entsteht.
ⓘ
Gate-Spannung [V
g
]
Kilovolt
Megavolt
Mikrovolt
Millivolt
Nanovolt
Planck Spannung
Volt
+10%
-10%
✖
Die Breite des Verarmungsbereichs ist ein Bereich in einem Halbleiterbauelement, in dem es keine freien Ladungsträger gibt.
ⓘ
Breite der Verarmungszone [x
depl
]
Angström
Astronomische Einheit
Zentimeter
Dezimeter
Erdäquatorialradius
Fermi
Versfuß
Inch
Kilometer
Lichtjahr
Meter
Mikrozoll
Mikrometer
Mikron
Meile
Millimeter
Nanometer
Picometer
Yard
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Schritte
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Formel
✖
Breite der Verarmungszone
Formel
x
depl
=
(
[Permitivity-silicon]
⋅
2
[Charge-e]
⋅
N
d
)
⋅
(
V
i
-
V
g
)
Beispiel
0.000159 m
=
(
[Permitivity-silicon]
⋅
2
[Charge-e]
⋅
9e22 /cm³
)
⋅
(
15.9 V
-
0.25 V
)
Taschenrechner
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Breite der Verarmungszone Lösung
SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Breite der Verarmungsregion
=
sqrt
(((
[Permitivity-silicon]
*2)/(
[Charge-e]
*
Dopingdichte
))*(
Schottky-Potenzialbarriere
-
Gate-Spannung
))
x
depl
=
sqrt
(((
[Permitivity-silicon]
*2)/(
[Charge-e]
*
N
d
))*(
V
i
-
V
g
))
Diese formel verwendet
2
Konstanten
,
1
Funktionen
,
4
Variablen
Verwendete Konstanten
[Permitivity-silicon]
- Permittivität von Silizium Wert genommen als 11.7
[Charge-e]
- Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19
Verwendete Funktionen
sqrt
- Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)
Verwendete Variablen
Breite der Verarmungsregion
-
(Gemessen in Meter)
- Die Breite des Verarmungsbereichs ist ein Bereich in einem Halbleiterbauelement, in dem es keine freien Ladungsträger gibt.
Dopingdichte
-
(Gemessen in 1 pro Kubikmeter)
- Die Dotierungsdichte bezieht sich auf die Konzentration von Dotierstoffatomen in einem Halbleitermaterial. Dotierstoffe sind Fremdatome, die gezielt in den Halbleiter eingebracht werden.
Schottky-Potenzialbarriere
-
(Gemessen in Volt)
- Die Schottky-Potentialbarriere fungiert als Barriere für Elektronen und die Höhe der Barriere hängt von der Austrittsarbeitsdifferenz zwischen den beiden Materialien ab.
Gate-Spannung
-
(Gemessen in Volt)
- Die Gate-Spannung ist die Spannung, die am Gate-Source-Übergang eines JFET-Transistors entsteht.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Dopingdichte:
9E+22 1 pro Kubikzentimeter --> 9E+28 1 pro Kubikmeter
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
Schottky-Potenzialbarriere:
15.9 Volt --> 15.9 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Gate-Spannung:
0.25 Volt --> 0.25 Volt Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
x
depl
= sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*N
d
))*(V
i
-V
g
)) -->
sqrt
(((
[Permitivity-silicon]
*2)/(
[Charge-e]
*9E+28))*(15.9-0.25))
Auswerten ... ...
x
depl
= 0.000159363423174517
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.000159363423174517 Meter --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.000159363423174517
≈
0.000159 Meter
<--
Breite der Verarmungsregion
(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)
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Breite der Verarmungszone
Credits
Erstellt von
Sonu Kumar Keshri
Nationales Institut für Technologie, Patna
(NITP)
,
Patna
Sonu Kumar Keshri hat diesen Rechner und 5 weitere Rechner erstellt!
Geprüft von
Parminder Singh
Chandigarh-Universität
(KU)
,
Punjab
Parminder Singh hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner verifiziert!
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Klystron Taschenrechner
Bündelungsparameter von Klystron
Gehen
Bündelungsparameter
= (
Strahlkopplungskoeffizient
*
Eingangssignalamplitude
*
Winkelvariation
)/(2*
Kathodenbündelspannung
)
Strahlbelastungsleitfähigkeit
Gehen
Strahlbelastungsleitfähigkeit
=
Leitfähigkeit des Hohlraums
-(
Geladener Leitwert
+
Kupferverlustleitfähigkeit
)
Hohlraumverlust durch Kupfer
Gehen
Kupferverlustleitfähigkeit
=
Leitfähigkeit des Hohlraums
-(
Strahlbelastungsleitfähigkeit
+
Geladener Leitwert
)
Hohlraumleitwert
Gehen
Leitfähigkeit des Hohlraums
=
Geladener Leitwert
+
Kupferverlustleitfähigkeit
+
Strahlbelastungsleitfähigkeit
Mehr sehen >>
Breite der Verarmungszone Formel
Breite der Verarmungsregion
=
sqrt
(((
[Permitivity-silicon]
*2)/(
[Charge-e]
*
Dopingdichte
))*(
Schottky-Potenzialbarriere
-
Gate-Spannung
))
x
depl
=
sqrt
(((
[Permitivity-silicon]
*2)/(
[Charge-e]
*
N
d
))*(
V
i
-
V
g
))
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