Spannungsschwankung an der Bitleitung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Spannungsschwankung auf Bitline = (Positive Spannung/2)*Zellkapazität/(Zellkapazität+Bitkapazität)
ΔV = (Vdd/2)*Ccell/(Ccell+Cbit)
Diese formel verwendet 4 Variablen
Verwendete Variablen
Spannungsschwankung auf Bitline - (Gemessen in Volt) - Unter „Voltage Swing on Bitline“ versteht man eine Full-Swing-Local-Bitline-SRAM-Architektur, die auf der 22-nm-FinFET-Technologie für den Niederspannungsbetrieb basiert.
Positive Spannung - (Gemessen in Volt) - Die positive Spannung ist als die Spannung definiert, die berechnet wird, wenn der Stromkreis an die Stromversorgung angeschlossen wird. Sie wird normalerweise als Vdd oder Stromversorgung des Stromkreises bezeichnet.
Zellkapazität - (Gemessen in Farad) - Die Zellkapazität ist die Kapazität einer einzelnen Zelle.
Bitkapazität - (Gemessen in Farad) - Die Bitkapazität ist die Kapazität eines Bits in cmos vlsi.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Positive Spannung: 2.58 Volt --> 2.58 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Zellkapazität: 5.98 Pikofarad --> 5.98E-12 Farad (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Bitkapazität: 12.38 Pikofarad --> 1.238E-11 Farad (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
ΔV = (Vdd/2)*Ccell/(Ccell+Cbit) --> (2.58/2)*5.98E-12/(5.98E-12+1.238E-11)
Auswerten ... ...
ΔV = 0.42016339869281
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.42016339869281 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.42016339869281 0.420163 Volt <-- Spannungsschwankung auf Bitline
(Berechnung in 00.005 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

Array-Datenpfad-Subsystem Taschenrechner

'XOR'-Verzögerung
​ LaTeX ​ Gehen XOR-Verzögerung = Ripple-Zeit-(Ausbreitungsverzögerung+(Gates auf kritischem Weg-1)*UND-ODER-Gate-Verzögerung)
Kritische Pfadverzögerung des Carry-Ripple-Addierers
​ LaTeX ​ Gehen Ripple-Zeit = Ausbreitungsverzögerung+(Gates auf kritischem Weg-1)*UND-ODER-Gate-Verzögerung+XOR-Verzögerung
Erdkapazität
​ LaTeX ​ Gehen Erdkapazität = ((Angreiferspannung*Angrenzende Kapazität)/Opferspannung)-Angrenzende Kapazität
N-Bit Carry-Skip-Addierer
​ LaTeX ​ Gehen N-Bit-Carry-Skip-Addierer = N-Eingang UND Tor*K-Eingang UND Tor

Spannungsschwankung an der Bitleitung Formel

​LaTeX ​Gehen
Spannungsschwankung auf Bitline = (Positive Spannung/2)*Zellkapazität/(Zellkapazität+Bitkapazität)
ΔV = (Vdd/2)*Ccell/(Ccell+Cbit)

Was sind dynamische RAMs (DRAMs)?

Dynamische RAMs (DRAMs) speichern ihren Inhalt als Ladung auf einem Kondensator statt in einer Rückkopplungsschleife. Kommerzielle DRAMs werden in spezialisierten Prozessen gebaut, die für dichte Kondensatorstrukturen optimiert sind. Sie bieten eine um den Faktor 10–20 höhere Dichte (Bits/cm2) als Hochleistungs-SRAM, die in einem Standardlogikprozess aufgebaut sind, aber sie haben auch eine viel höhere Latenz. Auf die Zelle wird zugegriffen, indem die Wortleitung aktiviert wird, um den Kondensator mit der Bitleitung zu verbinden. Beim Lesen wird die Bitleitung zuerst auf VDD/2 vorgeladen. Wenn die Wortleitung ansteigt, teilt der Kondensator seine Ladung mit der Bitleitung, wodurch eine Spannungsänderung verursacht wird, die erfasst werden kann. Der Lesevorgang stört den Zellinhalt bei x, sodass die Zelle nach jedem Lesevorgang neu geschrieben werden muss. Bei einem Schreibvorgang wird die Bitleitung hoch oder niedrig getrieben und die Spannung wird auf den Kondensator gezwungen. Einige DRAMs treiben die Wortleitung auf VDDP = VDD Vt, um einen verschlechterten Pegel zu vermeiden, wenn eine ,1' geschrieben wird.

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