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FET
IGBT
TRIAC
✖
Der Begriff „Vorwärts-Transkonduktanz-FET“ bezieht sich auf die Änderung des Ausgangsstroms infolge einer Änderung der Eingangsspannung und gibt die Verstärkungsfähigkeit des Geräts an.
ⓘ
Vorwärts-Transkonduktanz-FET [G
m(fet)
]
Megasiemens
Mho
Mikromho
Millisiemens
Siemens
+10%
-10%
✖
Der Drain-Widerstand des FET ist der Widerstand, den der Drain-Anschluss dem Drain-Strom in einem FET entgegensetzt.
ⓘ
Drain-Widerstand FET [R
d(fet)
]
Kiloohm
Megahm
Mikroohm
Milliohm
Ohm
Volt pro Ampere
+10%
-10%
✖
Die Spannungsverstärkung des FET wird durch die Steilheit des JFET und den Lastwiderstand bestimmt.
ⓘ
Spannungsverstärkung des FET [A
v(fet)
]
Kilovolt
Megavolt
Mikrovolt
Millivolt
Nanovolt
Planck Spannung
Volt
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Schritte
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Formel
LaTeX
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Herunterladen Fortschrittliche Transistorgeräte Formeln Pdf
Spannungsverstärkung des FET Lösung
SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Spannungsverstärkungs-FET
= -
Vorwärts-Transkonduktanz-FET
*
Drain-Widerstand FET
A
v(fet)
= -
G
m(fet)
*
R
d(fet)
Diese formel verwendet
3
Variablen
Verwendete Variablen
Spannungsverstärkungs-FET
-
(Gemessen in Volt)
- Die Spannungsverstärkung des FET wird durch die Steilheit des JFET und den Lastwiderstand bestimmt.
Vorwärts-Transkonduktanz-FET
-
(Gemessen in Siemens)
- Der Begriff „Vorwärts-Transkonduktanz-FET“ bezieht sich auf die Änderung des Ausgangsstroms infolge einer Änderung der Eingangsspannung und gibt die Verstärkungsfähigkeit des Geräts an.
Drain-Widerstand FET
-
(Gemessen in Ohm)
- Der Drain-Widerstand des FET ist der Widerstand, den der Drain-Anschluss dem Drain-Strom in einem FET entgegensetzt.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Vorwärts-Transkonduktanz-FET:
0.02 Millisiemens --> 2E-05 Siemens
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
Drain-Widerstand FET:
0.32 Kiloohm --> 320 Ohm
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
A
v(fet)
= -G
m(fet)
*R
d(fet)
-->
-2E-05*320
Auswerten ... ...
A
v(fet)
= -0.0064
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
-0.0064 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
-0.0064 Volt
<--
Spannungsverstärkungs-FET
(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)
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FET
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Spannungsverstärkung des FET
Credits
Erstellt von
Mohamed Fazil V
Acharya-Institut für Technologie
(AIT)
,
Bengaluru
Mohamed Fazil V hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von
Parminder Singh
Chandigarh-Universität
(KU)
,
Punjab
Parminder Singh hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner verifiziert!
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FET Taschenrechner
Transkonduktanz von FET
LaTeX
Gehen
Vorwärts-Transkonduktanz-FET
= (2*
Null-Vorspannungs-Drainstrom
)/
Pinch-OFF-Spannung
*(1-
Drain-Source-Spannung FET
/
Pinch-OFF-Spannung
)
Drain-Source-Spannung des FET
LaTeX
Gehen
Drain-Source-Spannung FET
=
Versorgungsspannung am Drain-FET
-
Drain-Strom-FET
*(
Drain-Widerstand FET
+
Quellwiderstand FET
)
Drainstrom des FET
LaTeX
Gehen
Drain-Strom-FET
=
Null-Vorspannungs-Drainstrom
*(1-
Drain-Source-Spannung FET
/
Abschaltspannung FET
)^2
Abschnürspannung des FET
LaTeX
Gehen
Pinch-OFF-Spannung
=
Pinch-OFF-Drain-Source-Spannung FET
-
Drain-Source-Spannung FET
Mehr sehen >>
Spannungsverstärkung des FET Formel
LaTeX
Gehen
Spannungsverstärkungs-FET
= -
Vorwärts-Transkonduktanz-FET
*
Drain-Widerstand FET
A
v(fet)
= -
G
m(fet)
*
R
d(fet)
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