Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand Taschenrechner

✖Der Durchlassstrom (IGBT) ist der maximale Strom, der durch das Gerät fließen kann, wenn es eingeschaltet ist.ⓘ Durchlassstrom (IGBT) [i_f(igbt)]			+10% -10%
✖Der N-Kanal-Widerstand (IGBT) ist der Widerstand des Halbleitermaterials im Gerät, wenn der IGBT eingeschaltet ist.ⓘ N-Kanal-Widerstand (IGBT) [R_ch(igbt)]			+10% -10%
✖Drift Resistance (IGBT) ist der N-Driftbereich des Halbleitermaterials im Gerät. Der N-Driftbereich ist ein dickes dotiertes Silizium, das den Kollektor vom P-Basisbereich trennt.ⓘ Driftfestigkeit (IGBT) [R_d(igbt)]			+10% -10%
✖Die Spannung an Pn-Übergang 1 (IGBT) wird durch die Potentialbarriere verursacht, die an dem Übergang besteht. Diese Potentialbarriere entsteht durch die Diffusion von Ladungsträgern über den Übergang.ⓘ Spannung Pn-Übergang 1 (IGBT) [V_j1(igbt)]			+10% -10%

✖Der Spannungsabfall bei eingeschalteter Stufe (IGBT) ist die Spannungsdifferenz zwischen den Kollektor- und Emitteranschlüssen, wenn der IGBT eingeschaltet ist. Es handelt sich um Halbleitermaterial im Gerät.ⓘ Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand [V_ON(igbt)]

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Formel

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Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand

Formel

`"V"_{"ON(igbt)"} = "i"_{"f(igbt)"}*"R"_{"ch(igbt)"}+"i"_{"f(igbt)"}*"R"_{"d(igbt)"}+"V"_{"j1(igbt)"}`

Beispiel

`"20.2533V"="1.69mA"*"10.59kΩ"+"1.69mA"*"0.98kΩ"+"0.7V"`

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Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Spannungsabfall EIN-Stufe (IGBT) = Durchlassstrom (IGBT)*N-Kanal-Widerstand (IGBT)+Durchlassstrom (IGBT)*Driftfestigkeit (IGBT)+Spannung Pn-Übergang 1 (IGBT)
V_ON(igbt) = i_f(igbt)*R_ch(igbt)+i_f(igbt)*R_d(igbt)+V_j1(igbt)
Diese formel verwendet 5 Variablen

Verwendete Variablen

Spannungsabfall EIN-Stufe (IGBT) - (Gemessen in Volt) - Der Spannungsabfall bei eingeschalteter Stufe (IGBT) ist die Spannungsdifferenz zwischen den Kollektor- und Emitteranschlüssen, wenn der IGBT eingeschaltet ist. Es handelt sich um Halbleitermaterial im Gerät.
Durchlassstrom (IGBT) - (Gemessen in Ampere) - Der Durchlassstrom (IGBT) ist der maximale Strom, der durch das Gerät fließen kann, wenn es eingeschaltet ist.
N-Kanal-Widerstand (IGBT) - (Gemessen in Ohm) - Der N-Kanal-Widerstand (IGBT) ist der Widerstand des Halbleitermaterials im Gerät, wenn der IGBT eingeschaltet ist.
Driftfestigkeit (IGBT) - (Gemessen in Ohm) - Drift Resistance (IGBT) ist der N-Driftbereich des Halbleitermaterials im Gerät. Der N-Driftbereich ist ein dickes dotiertes Silizium, das den Kollektor vom P-Basisbereich trennt.
Spannung Pn-Übergang 1 (IGBT) - (Gemessen in Volt) - Die Spannung an Pn-Übergang 1 (IGBT) wird durch die Potentialbarriere verursacht, die an dem Übergang besteht. Diese Potentialbarriere entsteht durch die Diffusion von Ladungsträgern über den Übergang.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Durchlassstrom (IGBT): 1.69 Milliampere --> 0.00169 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
N-Kanal-Widerstand (IGBT): 10.59 Kiloohm --> 10590 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Driftfestigkeit (IGBT): 0.98 Kiloohm --> 980 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Spannung Pn-Übergang 1 (IGBT): 0.7 Volt --> 0.7 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_ON(igbt) = i_f(igbt)*R_ch(igbt)+i_f(igbt)*R_d(igbt)+V_j1(igbt) --> 0.00169*10590+0.00169*980+0.7

Auswerten ... ...

V_ON(igbt) = 20.2533

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

20.2533 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

20.2533 Volt <-- Spannungsabfall EIN-Stufe (IGBT)

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Mohamed Fazil V

Acharya-Institut für Technologie (AIT), Bengaluru

Mohamed Fazil V hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner verifiziert!

< 8 IGBT Taschenrechner

Nomineller kontinuierlicher Kollektorstrom des IGBT

Gehen Durchlassstrom (IGBT) = (-Gesamtspannung von Kollektor und Emitter (IGBT)+sqrt((Gesamtspannung von Kollektor und Emitter (IGBT))^2+4*Widerstand von Kollektor und Emitter (IGBT)*((Maximale Betriebsspannung (IGBT)-Gehäusetemperatur IGBT)/Thermischer Widerstand (IGBT))))/(2*Widerstand von Kollektor und Emitter (IGBT))

Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand

Gehen Spannungsabfall EIN-Stufe (IGBT) = Durchlassstrom (IGBT)*N-Kanal-Widerstand (IGBT)+Durchlassstrom (IGBT)*Driftfestigkeit (IGBT)+Spannung Pn-Übergang 1 (IGBT)

Sättigungsspannung des IGBT

Gehen Sättigungsspannung Kollektor-Emitter (IGBT) = Basis-Emitter-Spannung PNP IGBT+Drain-Strom (IGBT)*(Leitfähigkeit Widerstand IGBT+N-Kanal-Widerstand (IGBT))

IGBT-Ausschaltzeit

Gehen Ausschaltzeit (IGBT) = Verzögerungszeit (IGBT)+Anfängliche Abfallzeit (IGBT)+Endgültige Abfallzeit (IGBT)

Maximale Verlustleistung im IGBT

Gehen Maximale Verlustleistung (IGBT) = Maximale Betriebsspannung (IGBT)/Anschlusswinkel zum Gehäuse (IGBT)

Eingangskapazität des IGBT

Gehen Eingangskapazität (IGBT) = Gate-Emitter-Kapazität (IGBT)+Gate-Kollektor-Kapazität (IGBT)

Emitterstrom des IGBT

Gehen Emitterstrom (IGBT) = Löcherstrom (IGBT)+Elektronischer Strom (IGBT)

Durchbruchspannung des IGBT in Durchlassrichtung

Gehen Durchbruchspannung SOA IGBT = (5.34*10^13)/((Positive Nettoladung (IGBT))^(3/4))

Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand Formel

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