Spannungsabhängiger Widerstand im MOSFET Taschenrechner

✖Die effektive Spannung in einem MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) ist die Spannung, die das Verhalten des Geräts bestimmt. Sie wird auch als Gate-Source-Spannung bezeichnet.ⓘ Effektive Spannung [V_eff]			+10% -10%
✖Der Drain-Strom ist der Strom, der zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET) fließt, einem Transistortyp, der üblicherweise in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird.ⓘ Stromverbrauch [i_d]			+10% -10%

✖Ein endlicher Widerstand bedeutet einfach, dass der Widerstand in einem Stromkreis nicht unendlich oder Null ist. Mit anderen Worten: Der Stromkreis weist einen gewissen Widerstand auf, der das Verhalten des Stromkreises beeinflussen kann.ⓘ Spannungsabhängiger Widerstand im MOSFET [R_fi]

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Spannungsabhängiger Widerstand im MOSFET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Endlicher Widerstand = Effektive Spannung/Stromverbrauch
R_fi = V_eff/i_d
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Endlicher Widerstand - (Gemessen in Ohm) - Ein endlicher Widerstand bedeutet einfach, dass der Widerstand in einem Stromkreis nicht unendlich oder Null ist. Mit anderen Worten: Der Stromkreis weist einen gewissen Widerstand auf, der das Verhalten des Stromkreises beeinflussen kann.
Effektive Spannung - (Gemessen in Volt) - Die effektive Spannung in einem MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) ist die Spannung, die das Verhalten des Geräts bestimmt. Sie wird auch als Gate-Source-Spannung bezeichnet.
Stromverbrauch - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom ist der Strom, der zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET) fließt, einem Transistortyp, der üblicherweise in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Effektive Spannung: 1.7 Volt --> 1.7 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Stromverbrauch: 0.08 Milliampere --> 8E-05 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

R_fi = V_eff/i_d --> 1.7/8E-05

Auswerten ... ...

R_fi = 21250

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

21250 Ohm -->21.25 Kiloohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

21.25 Kiloohm <-- Endlicher Widerstand

(Berechnung in 00.035 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Suma Madhuri

VIT-Universität (VIT), Chennai

Suma Madhuri hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Simran Shravan Nishad

Sinhgad College of Engineering (SCOE), Pune

Simran Shravan Nishad hat diesen Rechner und 2 weitere Rechner verifiziert!

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MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis

LaTeX Gehen Linearer Widerstand = Kanallänge/(Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Kanalbreite*Effektive Spannung)

Endlicher Widerstand zwischen Drain und Source

LaTeX Gehen Endlicher Widerstand = modulus(Positive Gleichspannung)/Stromverbrauch

Mittlerer freier Elektronenweg

LaTeX Gehen Mittlerer freier Elektronenweg = 1/(Ausgangswiderstand*Stromverbrauch)

Ausgangswiderstand entleeren

LaTeX Gehen Ausgangswiderstand = 1/(Mittlerer freier Elektronenweg*Stromverbrauch)

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Spannungsabhängiger Widerstand im MOSFET Formel

LaTeX Gehen

Endlicher Widerstand = Effektive Spannung/Stromverbrauch
R_fi = V_eff/i_d

Welche Anwendungen gibt es für MOSFETs?

MOSFETs haben ein breites Anwendungsspektrum in elektronischen Schaltkreisen, einschließlich der Verstärkung schwacher Signale, dem Schalten elektronischer Geräte und der Steuerung des Stromflusses in digitalen Schaltkreisen. Sie werden auch in der Leistungselektronik, in Hochfrequenzschaltungen (RF) sowie in den Schnittstellen von Computersystemen und Peripheriegeräten verwendet.

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