Spannungsabhängiger Widerstand im MOSFET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Endlicher Widerstand = Effektive Spannung/Stromverbrauch
Rfi = Veff/id
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Endlicher Widerstand - (Gemessen in Ohm) - Ein endlicher Widerstand bedeutet einfach, dass der Widerstand in einem Stromkreis nicht unendlich oder Null ist. Mit anderen Worten: Der Stromkreis weist einen gewissen Widerstand auf, der das Verhalten des Stromkreises beeinflussen kann.
Effektive Spannung - (Gemessen in Volt) - Die effektive Spannung in einem MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) ist die Spannung, die das Verhalten des Geräts bestimmt. Sie wird auch als Gate-Source-Spannung bezeichnet.
Stromverbrauch - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom ist der Strom, der zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET) fließt, einem Transistortyp, der üblicherweise in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Effektive Spannung: 1.7 Volt --> 1.7 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Stromverbrauch: 0.08 Milliampere --> 8E-05 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Rfi = Veff/id --> 1.7/8E-05
Auswerten ... ...
Rfi = 21250
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
21250 Ohm -->21.25 Kiloohm (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
21.25 Kiloohm <-- Endlicher Widerstand
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Suma Madhuri
VIT-Universität (VIT), Chennai
Suma Madhuri hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Simran Shravan Nishad
Sinhgad College of Engineering (SCOE), Pune
Simran Shravan Nishad hat diesen Rechner und 2 weitere Rechner verifiziert!

Widerstand Taschenrechner

MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis
​ LaTeX ​ Gehen Linearer Widerstand = Kanallänge/(Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Kanalbreite*Effektive Spannung)
Endlicher Widerstand zwischen Drain und Source
​ LaTeX ​ Gehen Endlicher Widerstand = modulus(Positive Gleichspannung)/Stromverbrauch
Mittlerer freier Elektronenweg
​ LaTeX ​ Gehen Mittlerer freier Elektronenweg = 1/(Ausgangswiderstand*Stromverbrauch)
Ausgangswiderstand entleeren
​ LaTeX ​ Gehen Ausgangswiderstand = 1/(Mittlerer freier Elektronenweg*Stromverbrauch)

Spannungsabhängiger Widerstand im MOSFET Formel

​LaTeX ​Gehen
Endlicher Widerstand = Effektive Spannung/Stromverbrauch
Rfi = Veff/id

Welche Anwendungen gibt es für MOSFETs?

MOSFETs haben ein breites Anwendungsspektrum in elektronischen Schaltkreisen, einschließlich der Verstärkung schwacher Signale, dem Schalten elektronischer Geräte und der Steuerung des Stromflusses in digitalen Schaltkreisen. Sie werden auch in der Leistungselektronik, in Hochfrequenzschaltungen (RF) sowie in den Schnittstellen von Computersystemen und Peripheriegeräten verwendet.

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