Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei differentieller Eingangsspannung bei gegebener Overdrive-Spannung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Gate-Source-Spannung = Grenzspannung+1.4*Effektive Spannung
Vgs = Vth+1.4*Veff
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Gate-Source-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Gate-Source-Spannung ist ein kritischer Parameter, der den Betrieb eines FET beeinflusst und häufig zur Steuerung des Geräteverhaltens verwendet wird.
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung, auch bekannt als Gate-Schwellenspannung oder einfach Vth, ist ein kritischer Parameter beim Betrieb von Feldeffekttransistoren, die grundlegende Komponenten in der modernen Elektronik sind.
Effektive Spannung - (Gemessen in Volt) - Die effektive Spannung in einem MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) ist die Spannung, die das Verhalten des Geräts bestimmt. Sie wird auch als Gate-Source-Spannung bezeichnet.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Grenzspannung: 2.3 Volt --> 2.3 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Effektive Spannung: 1.7 Volt --> 1.7 Volt Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Vgs = Vth+1.4*Veff --> 2.3+1.4*1.7
Auswerten ... ...
Vgs = 4.68
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
4.68 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
4.68 Volt <-- Gate-Source-Spannung
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Anshika Arya
Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur
Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

Stromspannung Taschenrechner

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​ LaTeX ​ Gehen Drain-Spannung Q1 = -Ausgangswiderstand*(Steilheit*Gleichtakt-Eingangssignal)/(1+(2*Steilheit*Ausgangswiderstand))
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Ausgangsspannung am Drain Q1 des MOSFET
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Ausgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET
​ LaTeX ​ Gehen Drain-Spannung Q2 = -(Ausgangswiderstand*Gesamtstrom)

Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei differentieller Eingangsspannung bei gegebener Overdrive-Spannung Formel

​LaTeX ​Gehen
Gate-Source-Spannung = Grenzspannung+1.4*Effektive Spannung
Vgs = Vth+1.4*Veff

Was ist die differentielle Eingangsspannung?

Die differentielle Eingangsspannung ist die maximale Spannung, die an die Pins des Eingangs (nicht invertierender Eingang) und des Eingangs (invertierender Eingang) angelegt werden kann, ohne die IC-Eigenschaften zu beschädigen oder zu beeinträchtigen.

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