Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei Betrieb mit differentieller Eingangsspannung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Gate-Source-Spannung = Grenzspannung+sqrt((2*DC-Vorstrom)/(Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis))
Vgs = Vth+sqrt((2*Ib)/(k'n*WL))
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 5 Variablen
Verwendete Funktionen
sqrt - Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)
Verwendete Variablen
Gate-Source-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Gate-Source-Spannung ist ein kritischer Parameter, der den Betrieb eines FET beeinflusst und häufig zur Steuerung des Geräteverhaltens verwendet wird.
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung, auch bekannt als Gate-Schwellenspannung oder einfach Vth, ist ein kritischer Parameter beim Betrieb von Feldeffekttransistoren, die grundlegende Komponenten in der modernen Elektronik sind.
DC-Vorstrom - (Gemessen in Ampere) - Der DC-Vorspannungsstrom ist der konstante Strom, der durch einen Schaltkreis oder ein Gerät fließt, um einen bestimmten Arbeitspunkt oder Vorspannungspunkt festzulegen.
Transkonduktanzparameter verarbeiten - (Gemessen in Ampere pro Quadratvolt) - Der Process Transconductance Parameter (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren.
Seitenverhältnis - Das Seitenverhältnis ist definiert als das Verhältnis der Breite des Transistorkanals zu seiner Länge. Es ist das Verhältnis der Breite des Tores zum Abstand zwischen der Quelle
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Grenzspannung: 2.3 Volt --> 2.3 Volt Keine Konvertierung erforderlich
DC-Vorstrom: 985 Milliampere --> 0.985 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Transkonduktanzparameter verarbeiten: 2.1 Ampere pro Quadratvolt --> 2.1 Ampere pro Quadratvolt Keine Konvertierung erforderlich
Seitenverhältnis: 0.1 --> Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Vgs = Vth+sqrt((2*Ib)/(k'n*WL)) --> 2.3+sqrt((2*0.985)/(2.1*0.1))
Auswerten ... ...
Vgs = 5.36283404397829
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
5.36283404397829 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
5.36283404397829 5.362834 Volt <-- Gate-Source-Spannung
(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

Stromspannung Taschenrechner

Ausgangsspannung am Drain Q1 des MOSFET bei Gleichtaktsignal
​ LaTeX ​ Gehen Drain-Spannung Q1 = -Ausgangswiderstand*(Steilheit*Gleichtakt-Eingangssignal)/(1+(2*Steilheit*Ausgangswiderstand))
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Ausgangsspannung am Drain Q1 des MOSFET
​ LaTeX ​ Gehen Drain-Spannung Q1 = -(Ausgangswiderstand*Gesamtstrom)
Ausgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET
​ LaTeX ​ Gehen Drain-Spannung Q2 = -(Ausgangswiderstand*Gesamtstrom)

Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei Betrieb mit differentieller Eingangsspannung Formel

​LaTeX ​Gehen
Gate-Source-Spannung = Grenzspannung+sqrt((2*DC-Vorstrom)/(Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis))
Vgs = Vth+sqrt((2*Ib)/(k'n*WL))

Was ist die differentielle Eingangsspannung?

Die differentielle Eingangsspannung ist die maximale Spannung, die an die Pins des Eingangs (nicht invertierender Eingang) und des Eingangs (invertierender Eingang) angelegt werden kann, ohne die IC-Eigenschaften zu beschädigen oder zu beeinträchtigen.

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