Spannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstrom Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Gate-Source-Spannung = Eingangsstrom/(Winkelfrequenz*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))
Vgs = Iin/(ω*(Csg+Cgd))
Diese formel verwendet 5 Variablen
Verwendete Variablen
Gate-Source-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Gate-Source-Spannung ist ein kritischer Parameter, der den Betrieb eines FET beeinflusst und häufig zur Steuerung des Geräteverhaltens verwendet wird.
Eingangsstrom - (Gemessen in Ampere) - Eingangsstrom kann sich auf den elektrischen Strom beziehen, der in ein elektrisches Gerät oder einen Stromkreis fließt. Dieser Strom kann je nach Gerät und Stromquelle Wechsel- oder Gleichstrom sein.
Winkelfrequenz - (Gemessen in Radiant pro Sekunde) - Die Winkelfrequenz einer Welle bezieht sich auf die Winkelverschiebung pro Zeiteinheit. Es ist ein skalares Maß für die Rotationsgeschwindigkeit.
Source-Gate-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Source-Gate-Kapazität ist ein Maß für die Kapazität zwischen den Source- und Gate-Elektroden in einem Feldeffekttransistor (FET).
Gate-Drain-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Drain-Kapazität ist eine parasitäre Kapazität, die zwischen den Gate- und Drain-Elektroden eines Feldeffekttransistors (FET) besteht.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Eingangsstrom: 2 Milliampere --> 0.002 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Winkelfrequenz: 33 Radiant pro Sekunde --> 33 Radiant pro Sekunde Keine Konvertierung erforderlich
Source-Gate-Kapazität: 8.16 Mikrofarad --> 8.16E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Gate-Drain-Kapazität: 7 Mikrofarad --> 7E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Vgs = Iin/(ω*(Csg+Cgd)) --> 0.002/(33*(8.16E-06+7E-06))
Auswerten ... ...
Vgs = 3.99776125369793
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
3.99776125369793 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
3.99776125369793 3.997761 Volt <-- Gate-Source-Spannung
(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Anshika Arya
Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur
Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

Stromspannung Taschenrechner

Ausgangsspannung am Drain Q1 des MOSFET bei Gleichtaktsignal
​ LaTeX ​ Gehen Drain-Spannung Q1 = -Ausgangswiderstand*(Steilheit*Gleichtakt-Eingangssignal)/(1+(2*Steilheit*Ausgangswiderstand))
Ausgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET bei Gleichtaktsignal
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Ausgangsspannung am Drain Q1 des MOSFET
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​ LaTeX ​ Gehen Drain-Spannung Q2 = -(Ausgangswiderstand*Gesamtstrom)

Spannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstrom Formel

​LaTeX ​Gehen
Gate-Source-Spannung = Eingangsstrom/(Winkelfrequenz*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))
Vgs = Iin/(ω*(Csg+Cgd))

Was ist MOSFET und wie funktioniert es?

Im Allgemeinen arbeitet der MOSFET als Schalter, der MOSFET steuert den Spannungs- und Stromfluss zwischen Source und Drain. Die Arbeitsweise des MOSFET hängt vom MOS-Kondensator ab, der die Halbleiteroberfläche unterhalb der Oxidschichten zwischen Source- und Drain-Anschluss ist.

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