Schwellenspannung des MOSFET Taschenrechner

✖Die Gate-Source-Spannung ist ein kritischer Parameter, der den Betrieb eines FET beeinflusst und häufig zur Steuerung des Geräteverhaltens verwendet wird.ⓘ Gate-Source-Spannung [V_gs]			+10% -10%
✖Die effektive Spannung in einem MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) ist die Spannung, die das Verhalten des Geräts bestimmt. Sie wird auch als Gate-Source-Spannung bezeichnet.ⓘ Effektive Spannung [V_eff]			+10% -10%

✖Die Schwellenspannung, auch bekannt als Gate-Schwellenspannung oder einfach Vth, ist ein kritischer Parameter beim Betrieb von Feldeffekttransistoren, die grundlegende Komponenten in der modernen Elektronik sind.ⓘ Schwellenspannung des MOSFET [V_th]

⎘ Kopie

👎

Formel

LaTeX

Rücksetzen

👍

Herunterladen MOSFET Formel Pdf PDF Image

Schwellenspannung des MOSFET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Grenzspannung = Gate-Source-Spannung-Effektive Spannung
V_th = V_gs-V_eff
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung, auch bekannt als Gate-Schwellenspannung oder einfach Vth, ist ein kritischer Parameter beim Betrieb von Feldeffekttransistoren, die grundlegende Komponenten in der modernen Elektronik sind.
Gate-Source-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Gate-Source-Spannung ist ein kritischer Parameter, der den Betrieb eines FET beeinflusst und häufig zur Steuerung des Geräteverhaltens verwendet wird.
Effektive Spannung - (Gemessen in Volt) - Die effektive Spannung in einem MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) ist die Spannung, die das Verhalten des Geräts bestimmt. Sie wird auch als Gate-Source-Spannung bezeichnet.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Gate-Source-Spannung: 4 Volt --> 4 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Effektive Spannung: 1.7 Volt --> 1.7 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_th = V_gs-V_eff --> 4-1.7

Auswerten ... ...

V_th = 2.3

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

2.3 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

2.3 Volt <-- Grenzspannung

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

Du bist da -

Zuhause » Maschinenbau » Elektronik » MOSFET » Analoge Elektronik » Stromspannung » Schwellenspannung des MOSFET

Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< Stromspannung Taschenrechner

Ausgangsspannung am Drain Q1 des MOSFET bei Gleichtaktsignal

LaTeX Gehen Drain-Spannung Q1 = -Ausgangswiderstand*(Steilheit*Gleichtakt-Eingangssignal)/(1+(2*Steilheit*Ausgangswiderstand))

Ausgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET bei Gleichtaktsignal

LaTeX Gehen Drain-Spannung Q2 = -(Ausgangswiderstand/((1/Steilheit)+2*Ausgangswiderstand))*Gleichtakt-Eingangssignal

Ausgangsspannung am Drain Q1 des MOSFET

LaTeX Gehen Drain-Spannung Q1 = -(Ausgangswiderstand*Gesamtstrom)

Ausgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET

LaTeX Gehen Drain-Spannung Q2 = -(Ausgangswiderstand*Gesamtstrom)

Mehr sehen >>

< MOSFET-Eigenschaften Taschenrechner

Spannungsverstärkung bei gegebenem Lastwiderstand des MOSFET

LaTeX Gehen Spannungsverstärkung = Steilheit*(1/(1/Lastwiderstand+1/Ausgangswiderstand))/(1+Steilheit*Quellenwiderstand)

Maximale Spannungsverstärkung am Vorspannungspunkt

LaTeX Gehen Maximale Spannungsverstärkung = 2*(Versorgungsspannung-Effektive Spannung)/(Effektive Spannung)

Spannungsverstärkung bei gegebener Drain-Spannung

LaTeX Gehen Spannungsverstärkung = (Stromverbrauch*Lastwiderstand*2)/Effektive Spannung

Maximale Spannungsverstärkung bei allen Spannungen

LaTeX Gehen Maximale Spannungsverstärkung = (Versorgungsspannung-0.3)/Thermische Spannung

Mehr sehen >>

Schwellenspannung des MOSFET Formel

LaTeX Gehen

Grenzspannung = Gate-Source-Spannung-Effektive Spannung
V_th = V_gs-V_eff

Was ist Schwellenspannung?

Der Wert der Spannung über dem Oxid, bei dem sich eine ausreichende Anzahl mobiler Elektronen im Kanalbereich ansammelt, um einen leitenden Kanal zu bilden, wird als Schwellenspannung bezeichnet und als V bezeichnet

Erklären Sie den gesamten Prozess des Kanalbereichs des MOSFET, der einen Parallelplattenkondensator bildet.

Das Gate und der Kanalbereich des MOSFET bilden einen Parallelplattenkondensator, wobei die Oxidschicht als Kondensatordielektrikum fungiert. Die positive Gate-Spannung bewirkt, dass sich eine positive Ladung auf der oberen Platte des Kondensators (der Gate-Elektrode) ansammelt. Die entsprechende negative Ladung auf der Bodenplatte wird von den Elektronen im induzierten Kanal gebildet. In vertikaler Richtung entsteht somit ein elektrisches Feld. Dieses Feld steuert die Ladungsmenge im Kanal und bestimmt somit die Kanalleitfähigkeit und damit den Strom, der beim Anlegen einer Spannung durch den Kanal fließt.

Zuhause

FREI PDFs

🔍 Suche

Kategorien

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!