Übergangsfrequenz des MOSFET Taschenrechner

✖Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.ⓘ Steilheit [g_m]			+10% -10%
✖Die Source-Gate-Kapazität ist ein Maß für die Kapazität zwischen den Source- und Gate-Elektroden in einem Feldeffekttransistor (FET).ⓘ Source-Gate-Kapazität [C_sg]			+10% -10%
✖Die Gate-Drain-Kapazität ist eine parasitäre Kapazität, die zwischen den Gate- und Drain-Elektroden eines Feldeffekttransistors (FET) besteht.ⓘ Gate-Drain-Kapazität [C_gd]			+10% -10%

✖Die Übergangsfrequenz ist ein Begriff, der die Geschwindigkeit oder Häufigkeit beschreibt, mit der eine Änderung oder ein Übergang von einem Zustand in einen anderen erfolgt.ⓘ Übergangsfrequenz des MOSFET [f_t]

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Formel

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Übergangsfrequenz des MOSFET

Formel

f t = \frac{g m}{2 \cdot π \cdot (C sg + C gd)}

Beispiel

5.249174 Hz = \frac{0.5 mS}{2 \cdot π \cdot (8.16 μF + 7 μF)}

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Übergangsfrequenz des MOSFET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))
f_t = g_m/(2*pi*(C_sg+C_gd))
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 4 Variablen

Verwendete Konstanten

pi - Archimedes-Konstante Wert genommen als 3.14159265358979323846264338327950288

Verwendete Variablen

Übergangsfrequenz - (Gemessen in Hertz) - Die Übergangsfrequenz ist ein Begriff, der die Geschwindigkeit oder Häufigkeit beschreibt, mit der eine Änderung oder ein Übergang von einem Zustand in einen anderen erfolgt.
Steilheit - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.
Source-Gate-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Source-Gate-Kapazität ist ein Maß für die Kapazität zwischen den Source- und Gate-Elektroden in einem Feldeffekttransistor (FET).
Gate-Drain-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Drain-Kapazität ist eine parasitäre Kapazität, die zwischen den Gate- und Drain-Elektroden eines Feldeffekttransistors (FET) besteht.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Steilheit: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Source-Gate-Kapazität: 8.16 Mikrofarad --> 8.16E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Gate-Drain-Kapazität: 7 Mikrofarad --> 7E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

f_t = g_m/(2*pi*(C_sg+C_gd)) --> 0.0005/(2*pi*(8.16E-06+7E-06))

Auswerten ... ...

f_t = 5.24917358482504

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

5.24917358482504 Hertz --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

5.24917358482504 ≈ 5.249174 Hertz <-- Übergangsfrequenz

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Anshika Arya

Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

< Interne kapazitive Effekte und Hochfrequenzmodell Taschenrechner

Übergangsfrequenz des MOSFET

Gehen Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))

Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET

Gehen Kanalbreite = Überlappungskapazität/(Oxidkapazität*Überlappungslänge)

Überlappungskapazität des MOSFET

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Gesamtkapazität zwischen Gate und Kanal von MOSFETs

Gehen Gate-Kanalkapazität = Oxidkapazität*Kanalbreite*Kanallänge

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Spannungsverstärkung bei gegebenem Lastwiderstand des MOSFET

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Maximale Spannungsverstärkung am Vorspannungspunkt

Gehen Maximale Spannungsverstärkung = 2*(Versorgungsspannung-Effektive Spannung)/(Effektive Spannung)

Spannungsverstärkung bei gegebener Drain-Spannung

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Maximale Spannungsverstärkung bei allen Spannungen

Gehen Maximale Spannungsverstärkung = (Versorgungsspannung-0.3)/Thermische Spannung

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Übergangsfrequenz des MOSFET Formel

Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))
f_t = g_m/(2*pi*(C_sg+C_gd))

Warum wird MOSFET für Hochfrequenzanwendungen verwendet?

MOSFETs können bei hohen Frequenzen arbeiten, sie können schnelle Schaltanwendungen mit geringen Ausschaltverlusten ausführen. Im Vergleich zum IGBT bietet ein Leistungs-MOSFET die Vorteile einer höheren Kommutierungsgeschwindigkeit und eines höheren Wirkungsgrads während des Betriebs bei niedrigen Spannungen.

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