Übergangsbreite des CMOS Taschenrechner

✖Die MOS-Gate-Überlappungskapazität ist eine Kapazität, die aus der Konstruktion des Geräts selbst resultiert und normalerweise mit seinen internen PN-Übergängen verbunden ist.ⓘ MOS-Gate-Überlappungskapazität [C_mos]			+10% -10%
✖Die MOS-Gate-Kapazität ist ein wichtiger Faktor bei der Berechnung der Gate-Überlappungskapazität.ⓘ MOS-Gate-Kapazität [C_gs]			+10% -10%

✖Die Übergangsbreite ist definiert als die Zunahme der Breite, wenn die Drain-Source-Spannung zunimmt, was dazu führt, dass der Triodenbereich in den Sättigungsbereich übergeht.ⓘ Übergangsbreite des CMOS [W]

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Übergangsbreite des CMOS Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Übergangsbreite = MOS-Gate-Überlappungskapazität/MOS-Gate-Kapazität
W = C_mos/C_gs
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Übergangsbreite - (Gemessen in Meter) - Die Übergangsbreite ist definiert als die Zunahme der Breite, wenn die Drain-Source-Spannung zunimmt, was dazu führt, dass der Triodenbereich in den Sättigungsbereich übergeht.
MOS-Gate-Überlappungskapazität - (Gemessen in Farad) - Die MOS-Gate-Überlappungskapazität ist eine Kapazität, die aus der Konstruktion des Geräts selbst resultiert und normalerweise mit seinen internen PN-Übergängen verbunden ist.
MOS-Gate-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die MOS-Gate-Kapazität ist ein wichtiger Faktor bei der Berechnung der Gate-Überlappungskapazität.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

MOS-Gate-Überlappungskapazität: 1.8 Mikrofarad --> 1.8E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
MOS-Gate-Kapazität: 20.04 Mikrofarad --> 2.004E-05 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

W = C_mos/C_gs --> 1.8E-06/2.004E-05

Auswerten ... ...

W = 0.0898203592814371

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.0898203592814371 Meter -->89.8203592814371 Millimeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

89.8203592814371 ≈ 89.82036 Millimeter <-- Übergangsbreite

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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CMOS mittlerer freier Pfad

LaTeX Gehen Mittlerer freier Pfad = Kritische Spannung im CMOS/Kritisches elektrisches Feld

Kritische CMOS-Spannung

LaTeX Gehen Kritische Spannung im CMOS = Kritisches elektrisches Feld*Mittlerer freier Pfad

Bereich der Quellendiffusion

LaTeX Gehen Bereich der Quellendiffusion = Länge der Quelle*Übergangsbreite

Breite der Quellendiffusion

LaTeX Gehen Übergangsbreite = Bereich der Quellendiffusion/Länge der Quelle

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Übergangsbreite des CMOS Formel

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Übergangsbreite = MOS-Gate-Überlappungskapazität/MOS-Gate-Kapazität
W = C_mos/C_gs

Was ist der Bedarf an Dotierung bei CMOS?

Durch Dotierung werden in der CMOS-Technologie Verunreinigungen in das Halbleitermaterial eingebracht, um dessen elektrische Eigenschaften zu verändern. Durch die Zugabe von Dotierstoffen kann die Anzahl der freien Ladungsträger (Elektronen oder Löcher) erhöht werden, was eine bessere Kontrolle über das elektrische Verhalten des Geräts ermöglicht. Dies ist wichtig für die Erstellung leistungsstarker CMOS-Schaltkreise, die sowohl n-Typ- als auch p-Typ-Transistoren verwenden.

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