Übergangsfrequenz des MOSFET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))
ft = gm/(2*pi*(Csg+Cgd))
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 4 Variablen
Verwendete Konstanten
pi - Archimedes-Konstante Wert genommen als 3.14159265358979323846264338327950288
Verwendete Variablen
Übergangsfrequenz - (Gemessen in Hertz) - Die Übergangsfrequenz ist ein Begriff, der die Geschwindigkeit oder Häufigkeit beschreibt, mit der eine Änderung oder ein Übergang von einem Zustand in einen anderen erfolgt.
Steilheit - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.
Source-Gate-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Source-Gate-Kapazität ist ein Maß für die Kapazität zwischen den Source- und Gate-Elektroden in einem Feldeffekttransistor (FET).
Gate-Drain-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Drain-Kapazität ist eine parasitäre Kapazität, die zwischen den Gate- und Drain-Elektroden eines Feldeffekttransistors (FET) besteht.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Steilheit: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Source-Gate-Kapazität: 8.16 Mikrofarad --> 8.16E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Gate-Drain-Kapazität: 7 Mikrofarad --> 7E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
ft = gm/(2*pi*(Csg+Cgd)) --> 0.0005/(2*pi*(8.16E-06+7E-06))
Auswerten ... ...
ft = 5.24917358482504
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
5.24917358482504 Hertz --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
5.24917358482504 5.249174 Hertz <-- Übergangsfrequenz
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Anshika Arya
Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur
Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

Interne kapazitive Effekte und Hochfrequenzmodell Taschenrechner

Übergangsfrequenz des MOSFET
​ LaTeX ​ Gehen Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))
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​ LaTeX ​ Gehen Kanalbreite = Überlappungskapazität/(Oxidkapazität*Überlappungslänge)
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Spannungsverstärkung bei gegebenem Lastwiderstand des MOSFET
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​ LaTeX ​ Gehen Maximale Spannungsverstärkung = (Versorgungsspannung-0.3)/Thermische Spannung

Übergangsfrequenz des MOSFET Formel

​LaTeX ​Gehen
Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))
ft = gm/(2*pi*(Csg+Cgd))

Warum wird MOSFET für Hochfrequenzanwendungen verwendet?

MOSFETs können bei hohen Frequenzen arbeiten, sie können schnelle Schaltanwendungen mit geringen Ausschaltverlusten ausführen. Im Vergleich zum IGBT bietet ein Leistungs-MOSFET die Vorteile einer höheren Kommutierungsgeschwindigkeit und eines höheren Wirkungsgrads während des Betriebs bei niedrigen Spannungen.

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